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斩波频率 frequency domain:频域 您可以看到,在直流时的失调和噪声明显降低,噪声曲线将固定在 直流处的一个很低的值。另外,在现实世界中,影响几乎是单调的,没有什么事情会突然迅速变化,因此,您可以看到,斩波器的噪声性能还将如何改善 1/f 拐点周围的噪声指标。 然而,利用斩波器获得优异直流性能的折衷,是在放大器的斩波频率处增加噪声尖峰。斩波频率随不同制造商的放大器而变化。它对于某些斩波器可能仅为数百赫兹,而对其它斩波器可能高达数万赫兹。例如,美国国家半导体公司的 lmv2011 高精度运算放大器于 25khz时操作。 如果您正在测量应变计,并且试图查明引擎里的什么东西是否正在弯曲,那么25khz 就远超过您感兴趣的频率了。因此,您通常可以把它过滤掉,并知道它对测量精度影响不大。 斩波器技术细节 不过,斩波器如何降低自己的失调电压呢? 图 3:某斩波放大器,具有交流放大器输入和输出同步切换系统,该斩波器导致失调电压最终成为依托在预想的、被精确放大信号上的噪声,利用低通滤波器,可以很容易把它过滤掉。 图 3 描绘了斩波器以差分模式来工作的步
有正极和负极,可工作于正向模式(电流从正极流向负极)或反向模式(电流从负极流向正极)。当光电二极管工作于反向模式(正极为负)时,在某一给定频率上其发光线性特别好,这在设计控制电路时尤其有用。 原型设计 图2 在图2中,一个原型电路用于分析带运算放大器的控制环。该电路驱动一个pnp晶体管,晶体管再给led提供电流来产生光源。led所发出的部分光会照到光电二极管上,再转换成很小的电流,一般只有10μa左右。 图3 图3给出了该电路的一个实例,它采用国家半导体公司的lmv2011精密运算放大器。参考电压由该公司的lm4041-1.2器件产生,它提供固定的1.225v参考电压,该器件的电流设定为约10ma,正处于其工作范围的中间。 vbias由两个精度为1%的电阻产生,电压值设定为约1v。vref和vbias之间的差值除以rg,就可得出控制环封闭的光电二极管电流。要注意的是,vbias须小于vref,否则电路不能工作。如果光电二极管电流为10ma,那么rg应该为0.2×10e-6或20.0k。 采用一个4.7k的电阻来限制pn200a pnp晶体管基极电流
低保证过温VOS:35μV;无1/f的低噪声:35nV/√Hz; 高CMRR:130dB;高PSRR:120dB;高AVOL:130dB;宽增益带宽乘积3MHz;高转换速率4V/μs;低供电电流930μA;轨至轨输出30mV;无外部电容需求