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ST PowerMESH IGBT新系列产品

损耗，使得其适合高达50khz高频应用。v系列stgp20nc60v、stgw20nc60v分别以to-220、to-247封装，均是30a、600v n通道产品。为了避免交叉传导环境，优化了反馈电容－输入电容比。其中，关断损耗还包括了遗留电流以及二极管恢复能损。stgw20nc60vd以to－247封装，组合打包了处于集电极与发射极之间的续流二极管。stgw40nc60v和stgw40nc60vd则以50a、600v的to－247封装，同时，stgw40nc60vd与一个反平行二极管组合封装在max247中。在额定电流下，这些产品都能工作于150°c，并能提供少于2.5v的集电极－发射极饱和压降。其价格从每10,000数量单元$1.25到$4.50不等。 来源:零八我的爱

意法推出通态电阻最低仅650V的全新功率MOSFET

监maurizio giudice表示：“mdmesh v 系列产品整合了意法半导体专属的第五代超结技术，和经过应用验证的 powermesh 水平布局设计，产品性能优于同类竞争产品。无论采用何种封装，业界最低的单位芯片面积rds(on)都能提供能效优势。设计人员使用很少数量的mdmesh v器件即可替代多路并联的普通mosfet网络，提高设计性能，降低总体尺寸。” 这款新器件是stw77n65m5，通态电阻rds(on)为38mω，采用to-247封装。意法半导体计划在2010年推出采用max247封装的22mωrds(on)的sty112n65m5。在今年初的mdmesh v超结mosfet技术发布会上，意法半导体公布开发蓝图时曾介绍过这两款产品。stw77n65m5的最大输出电流额定69a，现已全面投入量产。 与常规mosfet产品和竞争的超结器件相比，意法半导体的mdmesh v技术的单位芯片面积通态电阻最低。更低的损耗给设计带来很多好处，包括提高能效、更高的功率密度和更低的工作温度，最终可提高目标应用的可靠性，如个人电脑和服务器的电源、太阳能转换器、电焊电源和不间断电

驱动器和通信电路引脚及主要特性MAX247 多通道RS-232收发器

• ST最新的MDmesh V技术达到业内最低单位芯片面积导通电阻

  42n65m5是意法半导体的首款mdmesh v产品，采用to-220封装，导通电阻0.079ω。降低的导通电阻有助于提高能效，在大多数功率转换系统中，可实现业内最低的rds(on)。stx42n65m5全系列产品还提供其它的封装选择，包括d2pak贴装以及to-220fp、i2pak和to-247。目前正在量产的stx16n65m5系列也是650v产品，额定rds(on) 为0.299 ω，额定电流为12a。意法半导体的mdmesh v 650v mosfet技术蓝图还包括电流更大的产品，采用max247封装的产品rds(on)低至0.022ω，to-247封装低至0.038ω。这些产品计划在2009年3月上市。 “mdmesh v产品在rds(on)上的改进将会大幅度降低pfc电路和电源的电能损耗，从而能够实现能耗更低、尺寸更小的新一代电子产品，”意法半导体功率mosfet产品部市场总监maurizio giudice表示，“这项新技术将帮助产品设计工程师解决新出现的挑战，例如，新节能设计法规的能效目标，同时再生能源市场也是此项技术的受益者，因为它可以节省在电源控制模块消耗的宝贵电能。”

• ST最新的MDmesh V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻

  42n65m5是意法半导体的首款mdmesh v产品，采用to-220封装，导通电阻0.079ω。降低的导通电阻有助于提高能效，在大多数功率转换系统中，可实现业内最低的rds(on)。stx42n65m5全系列产品还提供其它的封装选择，包括d2pak贴装以及to-220fp、i2pak和to-247。目前正在量产的stx16n65m5系列也是650v产品，额定rds(on) 为0.299 ω，额定电流为12a。意法半导体的mdmesh v 650v mosfet技术蓝图还包括电流更大的产品，采用max247封装的产品rds(on)低至0.022ω，to-247封装低至0.038ω。这些产品计划在2009年3月上市。 “mdmesh v产品在rds(on)上的改进将会大幅度降低pfc电路和电源的电能损耗，从而能够实现能耗更低、尺寸更小的新一代电子产品，”意法半导体功率mosfet产品部市场总监maurizio giudice表示，“这项新技术将帮助产品设计工程师解决新出现的挑战，例如，新节能设计法规的能效目标，同时再生能源市场也是此项技术的受益者，因为它可以节省在电源控制模块消耗的宝贵电能。”

• ST绝缘栅双极晶体管能降低开关电源损耗

  c60v和stgw20nc60v均为30a、600v n沟道器件，采用to-220或to-247封装。为避免交叉传导现象，降低栅电荷，这两个产品优化了crss/ciss比例。它们的开关损耗包括尾电流和二极管恢复能量。stgw20nc60vd是一个to-247封装的stgw20nc60v器件，区别是在同一个封装内的集电极与发射极之间增加一个续流二极管。而stgw40nc60v是一个to-247封装的50a、600v的器件，stgy40nc60vd是一个与stgw40nc60v类似的产品，不同点是在max247封装内增加一个反并联二极管。 所有器件的最大工作温度都是150℃，集电极-发射极饱和电压都很低，在额定电流时低于2.5v。订货10,000件的单价在1.25到4.50美元之间