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osfet进入有效模式，第二个阶段将其关闭。 图4所示电路配置使mosfet周期性地进入有效模式，使功率耗散在mosfet上，需要考虑mosfet散热问题。基于这一原因，ic内部包含了门限约为+160°c的高温保护单元，当温度下降到+140°c以下时，电路恢复到正常模式。为了优化设计，ic应靠近mosfet放置，使两者具有良好的热传导通路。 众所周知，电路板电源总线可能存在负向电压尖峰或正向电压尖峰。抑制负电压的保护电路可以采用无源器件或特殊ic。图5提供了max6496反向电压保护的内部结构。 除了限制正向电压以外，max6496还包含一个p通道mosfet栅极控制电路，可以在正电压时使mosfet 保持导通状态，而在负电压时保持关闭状态。在高负载电流、低输入电压情况下，这个电路比典型的肖特基二极管更实用。 结论 本文讨论的限压电路都提供了相应的特性参数，便于器件在各种场合的应用。每个限压电路在负载上电时允许72v的最大输入电压，而在负载切断时允许80v的最大输入电压。下表总结了限压ic的主要特性。 来
输入过压时，控制外部n沟道mosfet开关，隔离输出负载。max6495–max6499可工作在较宽的+5.5v至+72v供电电压范围内。 当监控输入低于用户设置的过压门限时，n沟道mosfet栅极被驱动为高。集成的电荷泵电路提供一个10v栅极-源极电压，完全导通n沟道mosfet。当输入电压超过用户设置的过压门限时，迅速拉低mosfet的栅极，将负载与输入断开。在某些应用中，不希望将负载和输出断开。在这些情况下，保护电路可配置为电压限幅器，gate输出齿波来限制负载电压(max6495/max6496/max6499)。 max6496支持较低的输入电压，通过外部串联p沟道mosfet替换外部电池反接保护二极管来降低功率损耗。max6496产生合适的偏置电压，确保p沟道mosfet在正常工作时打开导通。出现抛负载情况时，栅极-源极电压被嵌箝位，电池反接时p沟道mosfet被关断。 max6497/max6498具有一个开漏、通用比较器，在输出低于设置门限时，可通知系统。max6497保持mosfet开关闭锁，直至输入电源重新上电或者刷新/shdn引脚为止。当vovset降至130
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