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osfet进入有效模式,第二个阶段将其关闭。 图4所示电路配置使mosfet周期性地进入有效模式,使功率耗散在mosfet上,需要考虑mosfet散热问题。基于这一原因,ic内部包含了门限约为+160°c的高温保护单元,当温度下降到+140°c以下时,电路恢复到正常模式。为了优化设计,ic应靠近mosfet放置,使两者具有良好的热传导通路。 众所周知,电路板电源总线可能存在负向电压尖峰或正向电压尖峰。抑制负电压的保护电路可以采用无源器件或特殊ic。图5提供了max6496反向电压保护的内部结构。 除了限制正向电压以外,max6496还包含一个p通道mosfet栅极控制电路,可以在正电压时使mosfet 保持导通状态,而在负电压时保持关闭状态。在高负载电流、低输入电压情况下,这个电路比典型的肖特基二极管更实用。 结论 本文讨论的限压电路都提供了相应的特性参数,便于器件在各种场合的应用。每个限压电路在负载上电时允许72v的最大输入电压,而在负载切断时允许80v的最大输入电压。下表总结了限压ic的主要特性。 来
输入过压时,控制外部n沟道mosfet开关,隔离输出负载。max6495–max6499可工作在较宽的+5.5v至+72v供电电压范围内。 当监控输入低于用户设置的过压门限时,n沟道mosfet栅极被驱动为高。集成的电荷泵电路提供一个10v栅极-源极电压,完全导通n沟道mosfet。当输入电压超过用户设置的过压门限时,迅速拉低mosfet的栅极,将负载与输入断开。在某些应用中,不希望将负载和输出断开。在这些情况下,保护电路可配置为电压限幅器,gate输出齿波来限制负载电压(max6495/max6496/max6499)。 max6496支持较低的输入电压,通过外部串联p沟道mosfet替换外部电池反接保护二极管来降低功率损耗。max6496产生合适的偏置电压,确保p沟道mosfet在正常工作时打开导通。出现抛负载情况时,栅极-源极电压被嵌箝位,电池反接时p沟道mosfet被关断。 max6497/max6498具有一个开漏、通用比较器,在输出低于设置门限时,可通知系统。max6497保持mosfet开关闭锁,直至输入电源重新上电或者刷新/shdn引脚为止。当vovset降至130