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的湿度和emi影响。 硅振荡器的应用 如果用硅振荡器代替晶体或陶瓷谐振器，首先可以去掉和振荡电路相关的所有元件。这通常包括一到两个电阻和两个电容(如果它们未被包含在谐振器封装内）。振荡器可以安装在适当的位置，然后将其时钟输出引到微控制器(?c)时钟输入(osc1)引脚。振荡器的电源应该来自于驱动?c时钟输入电路的电源。 图2和图3给出了这种设计的一个实例，其中显示的是用于mc68hc908?c的振荡电路。图2为推荐电路，三端陶瓷谐振器。 图3为采用硅振荡器的电路，本例采用max7375，sc70封装，包括引脚在内的外形尺寸仅为2.0mmx2.1mm。 图2.mc68hc908?c采用基于三端谐振器的振荡器 图3.mc68hc908?c采用max7375硅振荡器 硅振荡器在电路板上的布局通常没有很高的要求，因为这种器件输出的是低阻抗方波，它能够在电路板上传送足够的距离，且无须顾虑其他信号对它的干扰。硅振荡器能够驱动多个器件。和任何其他高速信号一样，硅振荡器的时钟输出在驱动长导线时会产生电磁辐射。靠近时钟发生器的引脚，在每路时钟信号上串连一个电阻可以降低这种辐射
硅振荡器的应用如果用硅振荡器代替晶体或陶瓷谐振器，首先可以去掉和振荡电路相关的所有元件。这通常包括一到两个电阻和两个电容(如果它们未被包含在谐振器封装内）。振荡器可以安装在适当的位置，然后将其时钟输出引到微控制器(µc)时钟输入(osc1)引脚。振荡器的电源应该来自于驱动µc时钟输入电路的电源。 图2和图3给出了这种设计的一个实例，其中显示的是用于mc68hc908 µc的振荡电路。图2为推荐电路，三端陶瓷谐振器。图3为采用硅振荡器的电路，本例采用max7375，sc70封装，包括引脚在内的外形尺寸仅为2.0mm x 2.1mm。 图2. mc68hc908 µc采用基于三端谐振器的振荡器 图3. mc68hc908 µc采用max7375硅振荡器 硅振荡器在电路板上的布局通常没有很高的要求，因为这种器件输出的是低阻抗方波，它能够在电路板上传送足够的距离，且无须顾虑其他信号对它的干扰。硅振荡器能够驱动多个器件。和任何其他高速信号一样，硅振荡器的时钟输出在驱动长导线时会产生电磁辐射。靠近时钟发生器的引脚，在每路时钟信号
所决定。cmos放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，hc04反相器门电路的功率耗散电容值是90pf。在4mhz、5v电源下工作时，相当于1.8ma的电源电流。再加上20pf的晶振负载电容，整个电源电流为2.2ma。 陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。 相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10ma至60ma。 硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频(固定)器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，如max7375，工作在4mhz时只需不到2ma的电流。 结论 在特定的微控制器应用中，选择最佳的时钟源需要综合考虑以下一些因素：精度、成本、功耗以及环境需求。下表给出了几种常用的振荡器类型，并分析了各自的优缺点。 来源:彬彬
所决定。cmos放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，hc04反相器门电路的功率耗散电容值是90pf。在4mhz、5v电源下工作时，相当于1.8ma的电源电流。再加上20pf的晶振负载电容，整个电源电流为2.2ma。 陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。 相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10ma至60ma。 硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频(固定)器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，如max7375，工作在4mhz时只需不到2ma的电流。 结论 在特定的微控制器应用中，选择最佳的时钟源需要综合考虑以下一些因素：精度、成本、功耗以及环境需求。下表给出了几种常用的振荡器类型，并分析了各自的优缺点。 来源:ks99
硅振荡器的应用 如果用硅振荡器代替晶体或陶瓷谐振器，首先可以去掉和振荡电路相关的所有元件。这通常包括一到两个电阻和两个电容(如果它们未被包含在谐振器封装内）。振荡器可以安装在适当的位置，然后将其时钟输出引到微控制器(µc)时钟输入(osc1)引脚。振荡器的电源应该来自于驱动µc时钟输入电路的电源。 图2和图3给出了这种设计的一个实例，其中显示的是用于mc68hc908 µc的振荡电路。图2为推荐电路，三端陶瓷谐振器。图3为采用硅振荡器的电路，本例采用max7375，sc70封装，包括引脚在内的外形尺寸仅为2.0mm x 2.1mm。 图2. mc68hc908 µc采用基于三端谐振器的振荡器 图3. mc68hc908 µc采用max7375硅振荡器 硅振荡器在电路板上的布局通常没有很高的要求，因为这种器件输出的是低阻抗方波，它能够在电路板上传送足够的距离，且无须顾虑其他信号对它的干扰。硅振荡器能够驱动多个器件。和任何其他高速信号一样，硅振荡器的时钟输出在驱动长导线时会产生电磁辐射。靠近时钟发生器的引脚，在每路时钟信号
流以及电路内部的电容值所决定。cmos放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，hc04反相器门电路的功率耗散电容值是90pf。在4mhz、5v电源下工作时，相当于1.8ma的电源电流。再加上20pf的晶振负载电容，整个电源电流为2.2ma。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10ma ~60ma。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，如max7375，工作在4mhz时只需不到2ma的电流。 在特定的应用场合优化时钟源需要综合考虑以下一些因素：精度、成本、功耗以及环境需求。此帖被评奖！此帖子不错哦 金钱:50 yfee 2007-1-13 16:46:09
荡器与晶体或陶瓷谐振器的比较硅振荡器能够在供电电压2.4～5.5v之间正常工作,硅振荡器并不依赖于机械共振特性来获得振荡频率，而是基于一个内部的rc时间常数。就精度而言，晶体最高，其次是陶瓷谐振器和硅振荡器，而且硅振荡器也比晶体和陶瓷谐振器对温度更敏感。然而，硅振荡器通常占用最小的空间，而且不需要额外的定时元件。一般而言，1个供电电源的滤波电容是硅振荡器唯一的外加元件。就功耗而言，硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几μa到可编程器件的几ma。以一种低功率的硅振荡器max7375为例，它工作在4mhz时只需不到2ma的电流。频率范围是600khz～9.99mhz，可工作在-40～125℃的温度范围内。 * - 本贴最后修改时间：2006-5-9 15:46:14 修改者：rener
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