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ONSEMI 250伏硅肖特基器件
流器应用于能量恢复、反击浪涌以及输出整流上，在这些应用中反向电压可超过200v。一个最典型的应用例子是等离子电视屏幕的能量恢复电路。在此应用中，开关频率一般在250khz左右，而峰－峰值电压超过180v。这就要求整流器具有低的正向压降和尽可能出色的开关性能。能量恢复整流器应该具有250v左右的最小击穿电压(以供降额使用和承受脉冲尖峰)。此项应用通常使用超高速整流器，然而安森美半导体采用先进的硅肖特基技术，开发出了更佳的方案。安森美半导体推出了下列新器件，扩展了200v及以上的整流器产品系列：- mbr40250：40 a, 250v肖特基整流器，t0-220封装及裸片。- mbrs4201：4 a, 200v肖特基整流器，smc封装。- mbrs3201：3 a, 200v肖特基整流器，smc封装。此等新款高压肖特基器件能消除超高速整流器在任何温度下都存在的反向恢复振荡现象。由于振荡（噪声）是导致emi的主要原因，全新的250v肖特基技术可省去emi滤波，也就节省了emi滤波的成本。与之相比较，在高温下使用超高速整流器会出现较大的反向恢复振荡，因而增大了emi，并相应增加了整个系统设计中用于滤
安森美半导体推出业内首个250伏硅肖特基器件
压(以供降额使用和承受脉冲尖峰)。此项应用通常使用超高速整流器，然而安森美半导体采用先进的硅肖特基技术，开发出了更佳的方案。nootbaar说：“以往250v击穿电压在商用的硅肖特基整流器的性能范围之外，设计者的选择只有标准超高速、软恢复超高速或昂贵的碳化硅整流器。安森美半导体采用了先进的硅肖特基技术，成功地取得更低的正向电压(vf < 1.0)，解决了200-250 khz频段中的开关损耗和电磁干扰(emi)问题。”安森美半导体推出了下列新器件，扩展了200v及以上的整流器产品系列：- mbr40250：40 a, 250v肖特基整流器，t0-220封装及裸片。- mbrs4201：4 a, 200v肖特基整流器，smc封装。- mbrs3201：3 a, 200v肖特基整流器，smc封装。此等新款高压肖特基器件能消除超高速整流器在任何温度下都存在的反向恢复振荡现象。由于振荡（噪声）是导致emi的主要原因，全新的250v肖特基技术可省去emi滤波，也就节省了emi滤波的成本。与之相比较，在高温下使用超高速整流器会出现较大的反向恢复振荡，因而增大了emi，并相应增加了整个系统设计中用于滤波的成本

MBR40250TG的技术参数
产品型号:MBR40250TG
反向重复峰值电压VRRM(max)(V):250
平均整流器前向电流IO(max)(A):40
瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.970
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150
瞬间反转电流IR(max)(mA):30 uA
封装/温度(℃):TO-220/-65~150...
MBR40250G的技术参数
产品型号:MBR40250G
反向重复峰值电压VRRM(max)(V):250
平均整流器前向电流IO(max)(A):40
瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.970
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):150
瞬间反转电流IR(max)(mA):0.030
封装/温度(℃):TO-220/150（max...

安森美推出250伏硅肖特基整流器
用和承受脉冲尖峰)。此项应用通常使用超高速整流器，然而安森美半导体采用先进的硅肖特基技术，开发出了更佳的方案。 nootbaar说：“以往250v击穿电压在商用的硅肖特基整流器的性能范围之外，设计者的选择只有标准超高速、软恢复超高速或昂贵的碳化硅整流器。安森美半导体采用了先进的硅肖特基技术，成功地取得更低的正向电压(vf < 1.0)，解决了200-250 khz频段中的开关损耗和电磁干扰(emi)问题。” 安森美半导体推出了下列新器件，扩展了200v及以上的整流器产品系列： - mbr40250：40 a, 250v肖特基整流器，t0-220封装及裸片。 - mbrs4201：4 a, 200v肖特基整流器，smc封装。 - mbrs3201：3 a, 200v肖特基整流器，smc封装。此等新款高压肖特基器件能消除超高速整流器在任何温度下都存在的反向恢复振荡现象。由于振荡（噪声）是导致emi的主要原因，全新的250v肖特基技术可省去emi滤波，也就节省了emi滤波的成本。与之相比较，在高温下使用超高速整流器会出现较大的反向恢复振荡，因而增大了emi，并相应增加了整个系统设计中用于
ONSEMI 250伏硅肖特基器件
应用于能量恢复、反击浪涌以及输出整流上，在这些应用中反向电压可超过200v。一个最典型的应用例子是等离子电视屏幕的能量恢复电路。在此应用中，开关频率一般在250khz左右，而峰－峰值电压超过180v。这就要求整流器具有低的正向压降和尽可能出色的开关性能。能量恢复整流器应该具有250v左右的最小击穿电压(以供降额使用和承受脉冲尖峰)。此项应用通常使用超高速整流器，然而安森美半导体采用先进的硅肖特基技术，开发出了更佳的方案。安森美半导体推出了下列新器件，扩展了200v及以上的整流器产品系列：- mbr40250：40 a, 250v肖特基整流器，t0-220封装及裸片。- mbrs4201：4 a, 200v肖特基整流器，smc封装。- mbrs3201：3 a, 200v肖特基整流器，smc封装。此等新款高压肖特基器件能消除超高速整流器在任何温度下都存在的反向恢复振荡现象。由于振荡（噪声）是导致emi的主要原因，全新的250v肖特基技术可省去emi滤波，也就节省了emi滤波的成本。与之相比较，在高温下使用超高速整流器会出现较大的反向恢复振荡，因而增大了emi，并相应增加了整个系统设计中用

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