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当前位置：维库电子市场网>IC>mbrm120 更新时间:2025-08-16 01:53:29

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mbrm120中文资料

  • 电源设备保护电路的优化设计

    电子元器件。此外，倘若用户在充电过程中突然拔掉电池，也会产生幅值较高的瞬态电压，可能使产品毁坏。针对上述问题，可利用ncp345和mosfet（p通道）构成过电压保护器，电路图如图5 所示。p通道mosfet起到开关作用，选内部带保护二极管的mgsf3441 型mosfet作为开关器件。其主要参数如下：漏- 源电压uds＝20 v，栅-源电压ugs＝8.0v，漏极电流id＝1a，最大漏极电流idm＝20 a，最大功耗pdm＝950 mw，通态电阻rds（on）＝78 mω。二极管d 采用低压降的mbrm120（1a/20 v）型肖特基二极管，当if＝1 a、ta＝25℃时的导通压降仅为0.34v，它与mosfet 串联成一体，能防止电池短路。利用ncp345 可监视输入电压，仅在安全条件下才能开启mosfet。稳压二极管dz1、dz2分别并联在输入端和负载端，起到过电压二次保护作用。 3 集成过电流保护器件 usb 是通用串行总线（universal serial bus）的英文缩写。它是针对pc机外设的一种新型接口技术，具有传输速率快（usb 2.0 的传输速率为480mb

  • MBRM120LT3G的技术参数

    产品型号:MBRM120LT3G
    反向重复峰值电压VRRM(max)(V):20
    平均整流器前向电流IO(max)(A):1
    瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.45@1.0A
    非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):50
    瞬间反转电流IR(max)(mA):0.400
    封装/温度(℃):POWERMITE/12...

  • MBRM120LT1G的技术参数

    产品型号:MBRM120LT1G
    反向重复峰值电压VRRM(max)(V):20
    平均整流器前向电流IO(max)(A):1
    瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.45@1.0A
    非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):50
    瞬间反转电流IR(max)(mA):0.400
    封装/温度(℃):POWERMITE/15...

  • MBRM120LT1的技术参数

    产品型号:MBRM120LT1
    反向重复峰值电压VRRM(max)(V):20
    平均整流器前向电流IO(max)(A):1
    瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.45@1.0A
    非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):50
    瞬间反转电流IR(max)(mA):－
    封装/温度(℃):POWERMITE/-55~12...

  • MBRM120ET3G的技术参数

    产品型号:MBRM120ET3G
    反向重复峰值电压VRRM(max)(V):20
    平均整流器前向电流IO(max)(A):1
    瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.530@1.0A
    非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):50
    瞬间反转电流IR(max)(mA):0.010
    封装/温度(℃):POWERMITE/1...

  • MBRM120ET1G的技术参数

    产品型号:MBRM120ET1G
    反向重复峰值电压VRRM(max)(V):20
    平均整流器前向电流IO(max)(A):1
    瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.530@1.0A
    非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):50
    瞬间反转电流IR(max)(mA):0.010
    封装/温度(℃):POWERMITE/1...

mbrm120替代型号

MBRM110LT1G MBRM110LT1 MBRM110ET1G MBRF40250TG MBRF2545CTG MBRF20H100CTG MBRF2060CTG MBRF20200CTG MBRF20100CTG MBRF20100CT

MBRM120ET1G MBRM120ET3G MBRM120LT1 MBRM120LT1G MBRM120LT3G MBRM130LT1G MBRM130LT3 MBRM140T1G MBRM140T3 MBRM140T3G

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