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电子元器件。此外,倘若用户在充电过程中突然拔掉电池,也会产生幅值较高的瞬态电压,可能使产品毁坏。针对上述问题,可利用ncp345和mosfet(p通道)构成过电压保护器,电路图如图5 所示。p通道mosfet起到开关作用,选内部带保护二极管的mgsf3441 型mosfet作为开关器件。其主要参数如下:漏- 源电压uds=20 v,栅-源电压ugs=8.0v,漏极电流id=1a,最大漏极电流idm=20 a,最大功耗pdm=950 mw,通态电阻rds(on)=78 mω。二极管d 采用低压降的mbrm120(1a/20 v)型肖特基二极管,当if=1 a、ta=25℃时的导通压降仅为0.34v,它与mosfet 串联成一体,能防止电池短路。利用ncp345 可监视输入电压,仅在安全条件下才能开启mosfet。稳压二极管dz1、dz2分别并联在输入端和负载端,起到过电压二次保护作用。 3 集成过电流保护器件 usb 是通用串行总线(universal serial bus)的英文缩写。它是针对pc机外设的一种新型接口技术,具有传输速率快(usb 2.0 的传输速率为480mb
产品型号:MBRM120LT3G
反向重复峰值电压VRRM(max)(V):20
平均整流器前向电流IO(max)(A):1
瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.45@1.0A
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):50
瞬间反转电流IR(max)(mA):0.400
封装/温度(℃):POWERMITE/12...
产品型号:MBRM120LT1G
反向重复峰值电压VRRM(max)(V):20
平均整流器前向电流IO(max)(A):1
瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.45@1.0A
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):50
瞬间反转电流IR(max)(mA):0.400
封装/温度(℃):POWERMITE/15...
产品型号:MBRM120LT1
反向重复峰值电压VRRM(max)(V):20
平均整流器前向电流IO(max)(A):1
瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.45@1.0A
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):50
瞬间反转电流IR(max)(mA):-
封装/温度(℃):POWERMITE/-55~12...
产品型号:MBRM120ET3G
反向重复峰值电压VRRM(max)(V):20
平均整流器前向电流IO(max)(A):1
瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.530@1.0A
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):50
瞬间反转电流IR(max)(mA):0.010
封装/温度(℃):POWERMITE/1...
产品型号:MBRM120ET1G
反向重复峰值电压VRRM(max)(V):20
平均整流器前向电流IO(max)(A):1
瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.530@1.0A
非重复峰值浪涌电流IFSM(max)(A):50
瞬间反转电流IR(max)(mA):0.010
封装/温度(℃):POWERMITE/1...