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如何实现开环推挽逆变器软开关
器做成图腾柱式电流放大电路，如图2所示：然而，这个电路有着固有的缺陷，速度慢，驱动能力不足，放电管有剩余电压，无法在高效率电源中采用。在这里向大家推荐一个用nmos/pmos反向器构成的图腾柱驱动电路，如图3所示：这个电路驱动能力强，开关速度极快，但有一点，从驱动ic过来的信号经过了图腾柱中mos管的反向，驱动ic必须能适应这种逻辑的变化，可采用sg3527,和3525电路完全一样，只不过是3527输出的是负向推动脉冲，以适应这种逻辑关系。最好的方法是采用专用驱动ic,如mc33152,tc4427,fan3224等，深圳高工以台系芯睿单片机产生驱动信号，再经mc33152专驱推动mosfet,取得较好效果。继续。要消除开关损耗，首先要知道开关损耗在什么时段产生的。在图4中，c2c3为mosfet的等效输出电容，把输出变压器简单的等效为一个理想变压器和漏感，激磁电感的串并联。 irf3205的输出电容c2和c3,查数据手册为781pf,把变压器的次级短路，测得的初级电感量就是变压器的漏感，对于高频变压器来说，约在几十到几百nh,次级开路，测得的电感量就是变压
高效节能技术应对更严格电源能效规范要求
绿色节能技术研究安森美半导体身为全球领先的高性能、高能效硅方案供应商，除了以现有产品和技术帮助客户构建高能效的整体电源方案，还持续推动新的绿色节能技术研究，帮助后续能效规范的更高要求及客户的更高期望。例如，在提升pfc能效方面，除了交错式pfc等新颖技术，安森美半导体还对无桥pfc方案进行了研究。这种pfc架构旨在去掉二极管整流桥，减少整流过程中的功率损耗，大幅提升pfc能效。安森美半导体基于这种架构开发了800 w pfc 段的原型。这原型采用ncp1653 pfc 控制器及mc33152 mosfet 驱动器。经测试，这原型在90 vrms、满载、无风扇(机箱打开，室温)条件下的能效达94%，而在100 vrms 时达95%。在20%负载时能效更接近或超过96%。这种无桥pfc 架构将是适合大功率应用的一种极高能效的解决方案。图2：用于提升pwm能效的新的交错式llc拓扑结构示意图。其次，在提升主转换器的pwm能效方面，安森美半导体除了继续开发有源钳位正激(acf)、半桥谐振(llc)等软开关拓扑结构，还在开发新的交错式llc(illc)拓扑结构，用于

MC33152VDR2G的技术参数
产品型号:MC33152VDR2G
工作电压最小值(V):6.500
工作电压最大值(V):18
输出通道:2
驱动器配置:同相
输出峰值电流(A):1.500
上升时间(ns):120
下降时间(ns):120
封装/温度(℃):8SOIC/-40~125
描述:双高速同相MOSFET驱...
MC33152PG的技术参数
产品型号:MC33152PG
工作电压最小值(V):6.500
工作电压最大值(V):18
输出通道:2
驱动器配置:同相
输出峰值电流(A):1.500
上升时间(ns):120
下降时间(ns):120
封装/温度(℃):8PDIP/-40~85
描述:双高速同相MOSFET驱动器...
MC33152P的技术参数
产品型号:MC33152P
工作电压最小值(V):6.500
工作电压最大值(V):18
输出通道:2
驱动器配置:同相
输出峰值电流(A):1.500
上升时间(ns):120
下降时间(ns):120
封装/温度(℃):8PDIP/-40~85
描述:双高速同相MOSFET驱动器<...
MC33152DR2G的技术参数
产品型号:MC33152DR2G
工作电压最小值(V):6.500
工作电压最大值(V):18
输出通道:2
驱动器配置:同相
输出峰值电流(A):1.500
上升时间(ns):120
下降时间(ns):120
封装/温度(℃):8SOIC/-40~85
描述:双高速同相MOSFET驱动...
MC33152D的技术参数
产品型号:MC33152D
工作电压最小值(V):6.500
工作电压最大值(V):18
输出通道:2
驱动器配置:同相
输出峰值电流(A):1.500
上升时间(ns):120
下降时间(ns):120
封装/温度(℃):8SOIC/-40~85
描述:双高速同相MOSFET驱动器<...

MC33152
可供无铅封装；2个独立的通道，具有1.5A推拉输出电路输出；输出的上升和下降时间为15ns具有1000pF负荷；CMOS/LSTTL兼容输入具有迟滞；欠压锁定与迟滞；低待机电流；高效率高频操作；提高系统性能具有普通开关稳压器控制芯片

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