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  • MC33370系列单片开关集成电路及其应用

    最大输入功率pom(w) 功率开关管(mosfet) 固定电压输入(110/115/230vac) 宽范围输入(85~265vac) rds(on)(ω) id(pk)(a) mc33369t 20 12 12 0.5 mc33370t 40 25 12 0.9 mc33371t 75 45 6.8 1.5 mc33372t 100 65 4.8 2.0 mc33373t 125 75 3.8 2.7 mc33374t 150 90 3.0 2.7 该系列的性能特点如下: ●该系列ic较topswitch系列增加了电源端和状态控制器的输入器。其状态控制端利用可编程控制器及外部模式选择电路可实现多种控制方式,并可实现电源工作状态和备用状态之间的切换。同时该芯片内部还增加了欠压锁定比较器、外部关断电路和状态控制器,因而其性能价格比更优,外围电路更趋简单; ●其功率开关管由一只高压结场型场效应管(jeet)和一只低压mos场效应管(mosfet)串联而成,该结构被称为“敏场效应管”电流传感式功率开关管

  • MC33370系列单片开关集成电路及其应用

    最大输入功率pom(w) 功率开关管(mosfet) 固定电压输入(110/115/230vac) 宽范围输入(85~265vac) rds(on)(ω) id(pk)(a) mc33369t 20 12 12 0.5 mc33370t 40 25 12 0.9 mc33371t 75 45 6.8 1.5 mc33372t 100 65 4.8 2.0 mc33373t 125 75 3.8 2.7 mc33374t 150 90 3.0 2.7 该系列的性能特点如下: ●该系列ic较topswitch系列增加了电源端和状态控制器的输入器。其状态控制端利用可编程控制器及外部模式选择电路可实现多种控制方式,并可实现电源工作状态和备用状态之间的切换。同时该芯片内部还增加了欠压锁定比较器、外部关断电路和状态控制器,因而其性能价格比更优,外围电路更趋简单; ●其功率开关管由一只高压结场型场效应管(jeet)和一只低压mos场效应管(mosfet)串联而成,该结构被称为“敏场效应管”电流传感式功率开关管

  • 智能功率器件的原理与应用

    字信号进行控制; 5)接上电延时电路; 6)禁止对状态控制器进行操作。 d为功率开关管漏极引出端。 mc33370的内部主要包括9部分: 1)振荡器; 2)并联调整器/误差放大器; 3)脉宽调制比较器与脉宽调制触发器; 4)外部关断电路及关断触发器; 5)电流极限比较器及功率开关管; 6)启动电路; 7)欠压锁定电路; 8)过热保护电路; 9)状态控制器。 由mc33374t/tv构成的15v/3.5a、52w开关电源的电路如图3所示。其交流输入电压u的允许变化范围是92v~276v vd1~vd4为整流桥。初级保护电路由rc吸收电路(r2、c2)和钳位保护电路(vdz、vd5)构成,能有效抑制高频变压器漏感产生的尖 峰 电 压 , 保 护mc33374内 部 的 功 率 开 关 管 不 受 损 坏 。vdz采 用 p6ke200a型 瞬 态 电 压 抑 制 器 ( tvs) , 图 中 阻 容 元 件r1、c3的 序 号 空 缺 , 根 据 需 要 亦 可 将r2

  • 15V/3.5A 52W开关电源电路

    相关元件pdf下载:mc33374 mbr20100ct 由mc33374t/tv构成的15v/3.5a 52w开关电源的电路如图所示。其交流输入电压u的允许变化范围为92~276v。整流桥vd1~vd4采用4只1n5406型3a/600v的硅整流管。初级保护电路由rc吸收电路(r2、c2)和钳位电路(vdz、vd5)构成,能有效地抑制因高频变压器存在漏感而产生的尖峰电压,保护mc33374内部的功率开关管不受损坏。vdz采用p6ke200a型瞬变电压抑制二极管(tvs),其反向击穿电压ub=200v。vd5选用的是murl60型超快恢复二极管(srd)。注意,该图中阻容元器件r1、c3的序号空缺,根据需要亦可将r2、c2的串联电路改成由r1(20kω、2w)和c3(0.1μf、400v)并联后再串以超快恢复二极管后,组成r、c、vd型保护电路。 c5为vcc端的旁路电容。s为控制开关稳压电源通、断状态的按键。s上串接r7后,能提高模式转换的可靠性。vd6与c6组成反馈线圈输出端的高频整流滤波器。次级高频整流管采用大电流、低压降的肖特基二极管,型号为mbr20100c

  • 由MC33374T/TV组成的15V/3.5A 52W开关电源电路图

    由mc33374t/tv构成的15v/3.5a 52w开关电源的电路如图所示。其交流输入电压u的允许变化范围为92~276v。整流桥vd1~vd4采用4只1n5406型3a/600v的硅整流管。初级保护电路由rc吸收电路(r2、c2)和钳位电路(vdz、vd5)构成,能有效地抑制因高频变压器存在漏感而产生的尖峰电压,保护mc33374内部的功率开关管不受损坏。vdz采用p6ke200a型瞬变电压抑制二极管(tvs),其反向击穿电压ub=200v。vd5选用的是murl60型超快恢复二极管(srd)。注意,该图中阻容元器件r1、c3的序号空缺,根据需要亦可将r2、c2的串联电路改成由r1(20kω、2w)和c3(0.1μf、400v)并联后再串以超快恢复二极管后,组成r、c、vd型保护电路。 c5为vcc端的旁路电容。s为控制开关稳压电源通、断状态的按键。s上串接r7后,能提高模式转换的可靠性。vd6与c6组成反馈线圈输出端的高频整流滤波器。次级高频整流管采用大电流、低压降的肖特基二极管,型号为mbr20100ct(20a/100v)。此管属于共阴对管,两个负极(阴极)在内部短接,使用时需将两

mc33374t替代型号

MC33374 MC33373T MC33372T MC33371T MC33370T MC33370 MC33369T MC33368PG MC33368DR2G MC33368D

MC33375 MC33375D-2.5R2G MC33375D-3.3R2G MC33375ST-2.5T3G MC33385DH MC33388 MC33388D MC33389CDH MC33389CDW MC33389DDW

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