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引脚图及结构图
相关电路图

制造商:
ON Semiconductor
产品种类:
Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性:
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO:
250 V
发射极 - 基极电压 VEBO:
5 V
最大直流电集电极电流:
10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:
20
配置:
Single
最大工作温度:
+ 200 C
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-204-2 (TO-3)
封装:
Tray
集电极连续电流:
10 A
最小工作温度:
- 65 C
功率耗散:
200 W
工厂包装数量:
100

MJ15011
电流参数：IC=10A/IB=2A/IE=12A电压参数：UCEO=250V/UCE(sat)=0.6V功率：PD=200mW极性：NPN

INA103扩大输出驱动能力放大电路
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制造商:

产品种类:

晶体管极性:

集电极—发射极最大电压 VCEO:

发射极 - 基极电压 VEBO:

最大直流电集电极电流:

直流集电极/Base Gain hfe Min:

配置:

最大工作温度:

安装风格:

封装 / 箱体:

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最小工作温度:

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发射极 - 基极电压 VEBO:

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直流集电极/Base Gain hfe Min:

配置:

最大工作温度:

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封装 / 箱体:

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