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MJE200 5 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMEN... MOTOROLA [Motorola, Inc] MJE200PDF下载
MJE200 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILI... ONSEMI [ON Semiconductor] MJE200PDF下载
MJE200 NPN Epitaxial Silicon Transistor FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] MJE200PDF下载
MJE200G TRANS NPN 40V 5A TO225AA MJE200GPDF下载
MJE200G RF Bipolar Transistor; Transistor Po... ON Semiconductor MJE200GPDF下载
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mje200价格行情

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历史最低报价：￥0.1500 历史最高报价：￥7.0000 历史平均报价：￥1.5083

型号厂家封装批号数量日期价格
MJE200 MOTOROLA TO-225 6600 2006/8/26 0:00:00 0.1500/pcs
MJE200 MOTOROLA 2006/8/28 0:00:00 0.3400/pcs
MJE200 MOT 3+ 2005/12/10 0:00:00 0.4000/pcs
MJE200 MOT 15200 2008/10/21 0:00:00 0.5000/pcs
MJE200 MOT 15200 2008/10/18 0:00:00 0.6500/pcs
MJE200 FAIRC TO-126 04+ 2006/5/30 0:00:00 0.6500/pcs
MJE200 MOTOROLA TO-126 03+ 2006/1/16 0:00:00 0.8000/pcs
MJE200 ON 05+ N/A 2006/5/31 0:00:00 1.0000/pcs
MJE200 SOT-252 04+ 2006/5/29 0:00:00 1.0000/pcs
MJE200 MOT TO-126 02+ 2006/1/14 0:00:00 1.0000/pcs

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相关应用
引脚图及结构图
相关电路图

制造商:
ON Semiconductor
产品种类:
Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性:
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO:
25 V
发射极 - 基极电压 VEBO:
8 V
最大直流电集电极电流:
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:
70
配置:
Single
最大工作频率:
65 MHz
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-225-3
封装:
Bulk
集电极连续电流:
5 A
最小工作温度:
- 65 C
功率耗散:
15 W
工厂包装数量:
500

MJE200G的技术参数
产品型号:MJE200G
类型:NPN
集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):25
集电极最大电流IC(Max)(A):5
直流电流增益hFE最小值(dB):45
直流电流增益hFE最大值(dB):180
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):65
总功耗PD(W):15
封装/温度...

MJE200
电流参数：IC=5A电压参数：UCBO=40V/UCEO=25V/UIEBO=8V功率：PC=15W其他参数：fT=65MHz极性：NPN

电流-电压转换器，升压晶体管
如mje200晶体管可以连接到模拟装置ad830，电压转换器产生电流，可驱动250ma负载。5-65pf微调用于补偿电流。来源:zhengpingping

MJE200G MJE210G MJE243G MJE253G MJE270G MJE2955 MJE2955TG MJE3055TG MJE340 MJE340G

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最大工作频率:

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安装风格:

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