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当前位置：维库电子市场网>IC>mmbt2222a 更新时间:2026-05-19 07:36:04

mmbt2222a供应商优质现货

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  • 深圳市诚研翔科技有限公司

  • MMBT2222ALT1G

  • 严选现货

    严选现货=现货+好口碑+品质承诺

    规则

    带有此标记的料号：

    1.表示供应，口碑良好，缴纳了2万保证金，经维库认证中心严格审查。

    2.供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。

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  • SOT23/14+

  • 公司100%全新原装现货

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mmbt2222a价格行情

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历史最低报价：￥0.0200 历史最高报价：￥56.0000 历史平均报价：￥0.6777

mmbt2222a中文资料

  • 电源设计小贴士42：可替代集成MOSFET的分立器件

    图1中的示意图显示了一个npn/pnp发射跟随器对，其可用于缓冲控制ic的输出。这可能会增加控制器的驱动能力并将驱动损耗转移至外部组件。许多人都认为该特殊电路无法提供足够的驱动电流。 如图2 hfe曲线所示，通常厂商都不会为这些低电流器件提供高于0.5a的电流。但是，该电路可提供大大高于0.5a的电流驱动，如图1中的波形所示。就该波形而言，缓冲器由一个50ω源驱动，负载为一个与1ω电阻串联的0.01 uf电容。该线迹显示了1ω电阻两端的电压，因此每段接线柱上的电流为2a.该数字还显示mmbt2222a可以提供大约3a的电流，mmbt3906吸收2a的电流。 事实上，晶体管将与其组件进行配对（mmbt3904用于3906,mmbt2907用于2222）。这两个不同的配对仅用于比较。这些器件还具有更高的电流和更高的hfe, 如fmmt618/718对，其在6a电流时具有100 的hfe（请参见图2）。与集成驱动器不同，分立器件是更低成本的解决方案，且有更高的散热和电流性能。 图2 诸如fmmt618的更高电流驱动器可增强驱动能力（最高：mmbt3904/最低：fmmt618）。

  • MMBT2222AWT1G的技术参数

    产品型号:MMBT2222AWT1G
    类型:NPN
    集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):40
    集电极最大电流Ic(max)(mA):600
    直流电流增益hFE最小值(dB):100
    直流电流增益hFE最大值(dB):300
    最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):300
    封装/温度(℃):3S...

  • MMBT2222ATT1G的技术参数

    产品型号:MMBT2222ATT1G
    类型:NPN
    集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):40
    集电极最大电流Ic(max)(mA):600
    直流电流增益hFE最小值(dB):100
    直流电流增益hFE最大值(dB):300
    最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):300
    封装/温度(℃):3S...

  • MMBT2222ALT1G的技术参数

    产品型号:MMBT2222ALT1G
    类型:NPN
    集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):40
    集电极最大电流Ic(max)(mA):600
    直流电流增益hFE最小值(dB):100
    直流电流增益hFE最大值(dB):300
    最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):300
    封装/温度(℃):3S...

  • MMBT2222A

    电流参数：IC=600mA电压参数：UCBO=75V/UCEO=40V/UEBO=6V功 率：PD=300mW其他参数：fT=300MHz极 性：NPN备 注：对管，MMBT2907A

mmbt2222a替代型号

MMBT2222 MMBFU310LT1G MMBFJ310LT1G MMBFJ309LT1G MMBFJ177LT1G MMBFJ175LT1G MMBFJ174 MMBF5484LT1G MMBF5460LT1G MMBF5457LT1G

MMBT2222ALT1G MMBT2222ATT1G MMBT2222AW MMBT2222AWT1G MMBT2222LT1G MMBT2369ALT1G MMBT2369LT1G MMBT2907ALT1 MMBT2907ALT1G MMBT2907AW

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