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1232
TO92/0137+
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MPSA42RLRA
8263
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进口原装现货，公司热卖
MPSA42
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NPN Silicon High-Voltage Transistors
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Small Signal Transistors (NPN)
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MPSA42
NPN High Voltage Amplifier
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High Voltage Transistors
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的设计。利用磁放大器还能进一步提高了稳压性能。总输出功率为145w，峰值输出功率可达160w。增加了遥控通／断电路，能远程控制开关电源的通、断状态。其电源效率η≥71％。当输入功率仅为0．91w时，输出功率可达0．5w，其功耗仅为0．41w，符合在这种情况下电源功耗不得超过1w的规定。s为110v／220v交流输入电压选择开关。利用晶体管vt2、vt3、电阻r1、r2、r3、r5和r6来代替均衡电阻，构成滤波电容c2、c3的均压电路。 该电路能降低电阻损耗。在设计电路时，vt2采用mpsa42型高压npn晶体管，vt3采用mpsa92型高压pnp晶体管，二者为互补对管，主要参数如下：u(br)ceo=300v，ic=0．5a，pd=0．625w，hpe=25倍。当s断开时就选择220v交流电。此时c2与c3相串联，总电容量变成6601μf。 rv是压敏电阻，当电网上的浪涌电压超过275v时rv迅速被击穿，能起到钳位保护作用。rt为负温度系数的热敏电阻，在上电时起到限流保护作用。交流输入端的emi滤波器由c18、 c19、c1，共模扼流圈l3、c20、c22、c23和r1
产品型号:MPSA42RL1G
类型:NPN
集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):300
集电极最大电流Ic(max)(mA):500
直流电流增益hFE最小值(dB):40
直流电流增益hFE最大值(dB):－
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50
封装/温度(℃):3TO-92/...
产品型号:MPSA42G
类型:NPN
集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):300
集电极最大电流Ic(max)(mA):500
直流电流增益hFE最小值(dB):40
直流电流增益hFE最大值(dB):－
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50
封装/温度(℃):3TO-92/-55...
电流参数：IC=500mA电压参数：UCBO=300V/UCEO=300V/UEBO=6V功 率：Ptot=680mW其他参数：fT=50MHz极 性：NPN
联合挂谷电子科技有限公司lm317ws to-92 2010 50000 0.37元深圳市蓬兴（蓬兴伟业）电子有限公司xcs30xl-4tq144cxilinx tqfp 07+ 3000 65.00元科隆盛电子有限公司dac0832ns dip 06十 750 6.00元广州明华科技电子有限公司hip4082ibintersil sop-16 01+ 15040 20.00元深圳驷泽电子有限公司ak5357et-e2 pb-freeakm ssop 06+ 200 5.20元荣盛电子有限公司 mpsa42华昕 to-92 05+ 30000 0.09元广州市源亨电子有限公司pic18f24k20-i/ssmicrochip ssop-28 0922fq 10800 32.00元东莞市金江电子科技有限公司pic18f24k20-i/ssmicrochip ssop-28 08+ 5000 32.00元东莞市金江电子科技有限公司cd4541bmti sop-14 08+ 5000 1.00元东莞市金江电子科技有限公司dac0832ns dip 08+ 5000 12.00元东莞市金江电子科技有限公司
的检测电路相连接。在正常情况下，巳通过vt7放电。这里检测电路包括对c5充电的半波整流器，这比采用电阻效果要好得多。低阻抗输出采用mosfet(vt8)。 由于mosfet在栅-源司接有稳压二极管，因此需要使用较大的栅极电阻。当mosfet进入导通范围时，其内稳压二极管能防止过载。电话线的高电压可能决定所采用元件的额定功率，元件参数不是临界值。为了减小漏电流的影响，高阻值的电阻(超过10mω)应采用多个电阻串联。 在该电路中，vt1、vt2采用mpsa92晶体管，vt3~vt7采用mpsa42晶体管，vt8采用vn10ke晶体管。 来源:university
均选用1/2w金属膜电阻器;r2-r8、rlo-rl3选用1/4w金属膜电阻器或碳膜电阻器。 rp选用有机实心电位器。 cl和clo均选用耐压值为400v以上的cbb电容器;c2和c3均选用耐压值为25v的铝电解电容器;c4-c9均选用独石电容器。 vd1选用ln4007型硅整流二极管;vd2选用ln4148型硅开关二极管。 vs选用1n4742(1w、l2v)型硅稳压二极管。 vll-vl5选用φ3mm不同颜色的发光二极管。 vl-v3选用3dg27d或3dg410、3da4lf、mpsa42型硅npn晶体管;v4选用db3型双向触发二极管。 vt选用tlc336a型双向晶闸管。 ic1选用ne555或cd7555型时基集成电路;ic2选用cd4017或cc4017型十进制计数/脉冲分配器集成电路。
fet 30v 0.9a1c fmmt-a20 zet n mpsa201c mmbta20l mot n mps39041c irlml6302 ir f p ch mosfet 20v 0.6a1d bc846 phi n bc4561d mmbta42 mot n mpsa42 300v npn1d irlml5103 ir f p ch mosfet 30v 0.6a1dn 2sc4083 roh n npn 11v 3.2ghz tuner f/ends1dr msd1328rt1 mot n npn gp 25v 500ma1e bc847a phi itt n bc547a1e fmmt-a
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