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  • 500W铅酸蓄电池充电器设计与制作

    用该款芯片; 电路图 dc-dc主拓扑结构: 方案选择: 在开关管承受峰值电流和电压的情况下,全桥输出功率为半桥的两倍,并切在功率大于500w时,全桥相对于半桥更合适,故本次设计采用全桥拓扑。 功率开关管选择: 经过整流滤波后电压最大值为373v,最大初级电流为3.5a 考虑实际工作情况选择fqa24n50 (24a/500v/0.2ω) 输出整流二极管: 整流二极管要承受的最大反相电压为100v,电流为10a,考虑实际工作情况,我们选用mur3060(600v/30a) 全桥电路图: 整流滤波输出电路: 驱动电路: pwm信号通过光耦隔离,经过反相器进入半桥驱动芯片ir2110 ,如图所示的q1、q2半桥驱动电路,q3、q4驱动电路与此电路相同。 辅助电源供电: 本设计系统供电采用另制辅助电源,系统框图如下: 本供电系统可提供稳定的12v,5v,-12v电压,且效率较高。 智能控制电路设计: 电源pwm控制部分 本设计采用的电源核心控制部分的芯片为美国通用公司芯

  • MUR3060WTG的技术参数

    产品型号:MUR3060WTG
    峰值反向电压VRRM(V):600
    最大平均正向电流IO(A):30
    最大全周期正向压降VF(V):1.700
    最大非重复浪涌电流IFSM(A):150
    最大反向电流IR(mA):1
    封装/温度(℃):TO-247/-65~175
    价格/1片(套):¥18.00

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  • MUR3060PTG的技术参数

    产品型号:MUR3060PTG
    峰值反向电压VRRM(V):600
    最大平均正向电流IO(A):30
    最大全周期正向压降VF(V):1.500
    最大非重复浪涌电流IFSM(A):150
    最大反向电流IR(mA):1
    封装/温度(℃):TO-218AC/-65~175
    价格/1片(套):¥16.00

mur3060替代型号

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