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mw7ic18100n中文资料

  • 突破GSM无线市场射频功率技术 飞思卡尔推出100W输出功率的双级RFIC

    业界第一款能够为gsm和edge网络基站提供100w射频输出功率的双级射频集成电路(rfic)日前首次在3gsm世界大会的飞思卡尔半导体展台展出。 该设备是目前投入商用的功率最高的双级rfic设备。当由飞思卡尔经济高效的mmg3005n通用放大器驱动(gpa)时，mwe6ic9100n和mw7ic18100n rfic就构成了全面的100w功率放大器解决方案，用于运行在频率从900到1800 mhz的无线基站。 该解决方案的优势在于非常适合gsm和edge市场。此前，双级rfic设备的输出功率不到30w，只能在驱动和预驱动阶段使用。以前的设计需要一个单独的高功率晶体管来实现50db增益，gsm edge发射机一般都需要100w的输出功率。现在，只需要一个gpa和一个rfic就可满足这种需要。 “这些100w的rfic是无线市场中射频功率技术的突破，”飞思卡尔半导体副总裁兼射频部总经理gavin p.wood表示，“它是迄今为止投入商用的功率最高的双级rfic，它们的封装采用超模压塑料而不是气腔。这些进步中的每项都非常了不起，如果把它们加在一起，则代表着整个行业前进了一大步。”技术规范：mwe6ic

  • 飞思卡尔提供100W输出功率的双级射频集成电路

    首款能够为gsm 和edge网络基站提供100w射频输出功率的双级射频集成电路(rfic)日前首次在3gsm世界大会的飞思卡尔半导体展台展出。 该设备是目前投入商用的功率最高的双级rfic设备。当由飞思卡尔经济高效的mmg3005n通用放大器驱动(gpa)时，mwe6ic9100n 和 mw7ic18100n rfic就构成了全面的100w功率放大器解决方案，用于运行在频率从900 到 1800 mhz的无线基站。 该解决方案的优势在于非常适合gsm和edge市场。此前，双级rfic设备的输出功率不到30w，只能在驱动和预驱动阶段使用。以前的设计需要一个单独的高功率晶体管来实现50 db增益，gsm edge发射机一般都需要100 w的输出功率。现在，只需要一个gpa和一个rfic就可满足这种需要。 技术规范：mwe6ic9100n mwe6ic9100n设计用于869至894 mhz的蜂窝频率和920至960 mhz 的gsm波段。对gsm操作来说，本设备可以在28 v ab级偏压条件下的1-db增益压缩（p1db）上提供至少100w的cw输出功率。增益是33.5 db，功率增加的效

  • 飞思卡尔推出用于GSM和EDGE基站的RFIC

    飞思卡尔半导体(freescale semiconductor)在3gsm世界大会上首次展示了能够为gsm和edge网络基站提供100w射频输出功率的双级射频集成电路(rfic)。 该设备是目前投入商用的功率最高的双级rfic设备。当由飞思卡尔的mmg3005n通用放大器驱动(gpa)时，mwe6ic9100n和mw7ic18100n rfic就构成了100w功率放大器解决方案，用于运行在频率从900到1,800mhz的无线基站。 该解决方案的优势在于非常适合gsm和edge市场。此前，双级rfic设备的输出功率不到30w，只能在驱动和预驱动阶段使用。以前的设计需要一个单独的高功率晶体管来实现50db增益，gsm edge发射机一般都需要100w的输出功率。现在，只需要一个gpa和一个rfic就可满足这种需要。 mwe6ic9100n技术规范： mwe6ic9100n设计用于869至894mhz的蜂窝频率和920至960mhz的gsm波段。对gsm操作来说，本设备可以在28v ab级偏压条件下的1-db增益压缩(p1db)上提供至少100w的cw输出功率。增益是33.5db，

  • RF功率器件的设计及应用

    卡尔的应用团队已经着手开发经过优化的适合gsm、cdma、wcdma、td-scdma和wimax等特定大容量应用的rf器件示范电路。这些系统级电路采用小尺寸的普通和商用rf器件，以及典型的组装流程，例如回流焊、表面贴装或器件夹具法，证明了全部rf器件系列的性能。此外还采用了电路级效率和线性增强技术，比如doherty以及模拟预矫正(apd)方法，以便让客户能更好地理解不同设计方法的优势。 图13为其中一个示范电路。这个电路被用来演示完整的1,800mhz gsm产品系列，包括驱动mw7ic18100n大功率rf的icmmg3005 gpa。mmg3005是a类偏置ingap hbtc，在1db压缩下具有+30dbm额定输出功率。mw7ic18100n是hv7 ldmos两级rf ic，在1db压缩下具有100w(+50dbm)的额定输出功率。综合来看，这两个器件创建了高性能的1,800mhz gsm系统，具有近50db的增益、37%的线路效率，以及+46dbm输出功率下的1.5% evm性能，如图14和15所示。低成本塑料封装、紧凑的电路版图以及使用最少的rf器件使得这一应用为成本敏感的gs

  • 突破GSM无线市场射频功率技术 飞思卡尔推出100W输出功率的双级RFIC

    业界第一款能够为gsm和edge网络基站提供100w射频输出功率的双级射频集成电路(rfic)日前首次在3gsm世界大会的飞思卡尔半导体展台展出。 该设备是目前投入商用的功率最高的双级rfic设备。当由飞思卡尔经济高效的mmg3005n通用放大器驱动(gpa)时，mwe6ic9100n和mw7ic18100n rfic就构成了全面的100w功率放大器解决方案，用于运行在频率从900到1800 mhz的无线基站。 该解决方案的优势在于非常适合gsm和edge市场。此前，双级rfic设备的输出功率不到30w，只能在驱动和预驱动阶段使用。以前的设计需要一个单独的高功率晶体管来实现50db增益，gsm edge发射机一般都需要100w的输出功率。现在，只需要一个gpa和一个rfic就可满足这种需要。 “这些100w的rfic是无线市场中射频功率技术的突破，”飞思卡尔半导体副总裁兼射频部总经理gavin p.wood表示，“它是迄今为止投入商用的功率最高的双级rfic，它们的封装采用超模压塑料而不是气腔。这些进步中的每项都非常了不起，如果把它们加在一起，则代表着整个行业前进了一大步。” 技术规范：mwe6ic

mw7ic18100n替代型号

MW6IC2240NB MW6IC2240 MW6IC2015NB MW4IC915MB MW4IC915GMBR1 MW4IC915 MW110 MVBC01 MV8132 MV6601C

MW7IC2725N MX10FLCDPC MX18L901SC MX200 MX23C1610MC-10 MX23C3210 MX23C3210MC-10 MX23C3210MC-12 MX23C6410MC-10 MX23L12811TC-12

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