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安森美半导体扩充功率开关产品阵容，推出高压MOSFET系列
推出的600 v mosfet器件包括： -ndd02n60z-1g，采用ipak封装，每10,000片批量的单价为0.22美元 -ndd02n60zt4g，采用dpak封装，每10,000片批量的单价为0.22美元 -ndd03n60z-1g，采用ipak封装，每10,000片批量的单价为0.23美元 -ndd03n60zt4g，采用dpak封装，每10,000片批量的单价为0.23美元 -ndd04n60z-1g，采用ipak封装，每10,000片批量的单价为0.27美元 -ndd04n60zt4g，采用dpak封装，每10,000片批量的单价为0.27美元 -ndf04n60zg，采用to-220fp封装，每10,000片批量的单价为0.27美元 -ndf06n60zg，采用to-220fp封装，每10,000片批量的单价为0.36美元 -ndf10n60zg，采用to-220fp封装，每10,000片批量的单价为0.42美元新推出的500 v mosfet器件包括： -ndd05n50z-1g，采用ipak封装，每10,000片批量的单价为0.29美元 -ndd0

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标准包装:

类别:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特点:

漏极至源极电压(Vdss):

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 时的 Vgs(th)（最大）:

闸电荷(Qg) @ Vgs:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

包装:

其它名称:

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ndd04n60zt4g替代型号

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