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NJG1130KA1
GPS LOW NOISE AMPLIFIER GaAs MMIC
NJRC [New Japan Radio]
NJG1130KA1PDF下载
新日本无线完成开发最适用于配备gps（global positioning system 全球定位系统）功能的便携式终端的高增益低噪声放大器（high gain / low noise amplifier） gaas mmic--njg1130ka1，并开始样品供货。 近年来，gps功能已逐渐成为手机及pda(personal digital assistant 个人手持数字设备）等便携式终端的标准配置。 上述产品所配备的低噪声放大器（low noise amplifier）必须具备低消耗电流、高增益以及体积小巧等特点。njg1130ka1是适用于gps的高增益低噪声放大器gaas mmic，可满足上述市场要求。 njg1130ka1采用了两级放大结构，从而单体的增益可达到29.0db(typ.)并缩小了产品体积。此外，还采用配备了esd保护元件的p-hemt（pseudomorphic hign electron mobility transistor）工艺，缩小内部元件之间的间隔，实现了芯片的小型化。小型封装flp-a1（1.6x1.6x0.55mm）有助于缩小电路板的体积。此外，本产
新日本无线完成开发最适用于配备GPS（Global Positioning System 全球定位系统）功能的便携式终端的高增益低噪声放大器（High gain / Low Noise Amplifier） GaAs MMIC--NJG1130KA1，并开始样品供货。
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新日本无线完成开发最适用于配备gps（global positioning system 全球定位系统）功能的便携式终端的高增益低噪声放大器（high gain / low noise amplifier） gaas mmic--njg1130ka1，并开始样品供货。 近年来，gps功能已逐渐成为手机及pda(personal digital assistant 个人手持数字设备）等便携式终端的标准配置。 上述产品所配备的低噪声放大器（low noise amplifier）必须具备低消耗电流、高增益以及体积小巧等特点。njg1130ka1是适用于gps的高增益低噪声放大器gaas mmic，可满足上述市场要求。 njg1130ka1采用了两级放大结构，从而单体的增益可达到29.0db(typ.)并缩小了产品体积。此外，还采用配备了esd保护元件的p-hemt（pseudomorphic hign electron mobility transistor）工艺，缩小内部元件之间的间隔，实现了芯片的小型化。小型封装flp-a1（1.6x1.6x0.55mm）有助于缩小电路板的体积。
新日本无线(new japan radio, njr)完成开发最适用于配备gps(全球定位系统)功能的便携式终端的高增益低噪声放大器(high gain/low noise amplifier)gaas mmic--njg1130ka1。 近年来，gps功能已逐渐成为手机及pda(个人手持数字设备)等便携式终端的标准配置。上述产品所配备的低噪声放大器(low noise amplifier)必须具备低消耗电流、高增益以及体积小巧等特点。njg1130ka1是适用于gps的高增益低噪声放大器gaas mmic，可满足上述市场要求。 njg1130ka1采用了两级放大结构，从而单体的增益可达到29.0db(typ.)并缩小了产品体积。此外，还采用配备了esd保护元件的p-hemt(pseudomorphic hign electron mobility transistor)工艺，缩小内部元件之间的间隔，实现了芯片的小型化。小型封装flp-a1(1.6×1.6×0.55mm)有助于缩小电路板的体积。此外，本产品采用p-hemt工艺，实现了低消耗电流(5.0ma)和低噪声(0.65db)。
新日本无线(new japan radio, njr)完成开发最适用于配备gps(全球定位系统)功能的便携式终端的高增益低噪声放大器(high gain/low noise amplifier)gaas mmic--njg1130ka1。 近年来，gps功能已逐渐成为手机及pda(个人手持数字设备)等便携式终端的标准配置。上述产品所配备的低噪声放大器(low noise amplifier)必须具备低消耗电流、高增益以及体积小巧等特点。njg1130ka1是适用于gps的高增益低噪声放大器gaas mmic，可满足上述市场要求。 njg1130ka1采用了两级放大结构，从而单体的增益可达到29.0db(typ.)并缩小了产品体积。此外，还采用配备了esd保护元件的p-hemt(pseudomorphic hign electron mobility transistor)工艺，缩小内部元件之间的间隔，实现了芯片的小型化。小型封装flp-a1(1.6×1.6×0.55mm)有助于缩小电路板的体积。此外，本产品采用p-hemt工艺，实现了低消耗电流(5.0ma)和低噪声(0.65db)。
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