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  • NTGD1100LT1G的技术参数

    产品型号:ntgd1100lt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):8源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):55最大漏极电流id(on)(a):3.300通道极性:p沟道封装/温度(℃):tsop6/-55~150描述:8v，3.3a p沟道mosfet价格/1片(套):￥2.00 来源:xiangxueqin

  • NTGD1100LT1G的技术参数

    产品型号:NTGD1100LT1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):8
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):55
    最大漏极电流Id(on)(A):3.300
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):TSOP6/-55~150
    描述:8V，3.3A P沟道MOSFET
    价格/1片(套):￥2.00

ntgd1100lt1g替代型号

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