@ 10 v qg (典型) ntmfs4833n 30 v 191 a 2 mΩ 39 nc ntmfs4834n 30 v 130 a 3 mΩ 33 nc ntmfs4835n 30 v 104 a 3.5 mΩ 25 nc ntmfs4836n 30 v 90 a 4 mΩ 19.1 nc ntmfs4837n 30 v 74 a 5 mΩ 14.2 nc ntmfs4839n 30 v 66 a 6 mΩ 12 nc ntmfs4841n 30 v 5
c 其他10 款新型功率mosfet 器件采用so-8平引脚封装– 带外露引脚框于背面使散热更佳。这些器件的每10,000片的批量预算单价在0.71至0.91美元之间。 器件 vds id rdson @ 10 v qg (典型) ntmfs4833n 30 v 191 a 2 m? 39 nc ntmfs4834n 30 v 130 a 3 m? 33 nc ntmfs4835n 30 v 104 a 3.5 m? 25 nc ntmfs4836n 30 v 90 a 4 m? 19.1 nc ntmfs4837n 30 v 74 a 5 m? 14.2 nc ntmfs4839n 30 v 66 a 6 m? 12 nc ntmfs4841n 30 v 57 a 7 m? 11.9 nc ntmfs4741n 30 v 67 a 8 m? 15 nc ntmfs4744n 30 v 53 a 10 m? 10 nc ntmfs4747n 30 v 44 a 13 m? 12 nc 来源
产品型号:NTMFS4836NT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4
最大漏极电流Id(on)(A):90
通道极性:N
封装/温度(℃):SO-8FL/-55~150
描述:30V,90A,N沟道MOSFET
价格/1片(套):暂无
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电流参数:ID=18A/IS=46A/IDM=180A电压参数:UDSS=30V/UGS=20V功 率: PD=(Ta=25oC)=2.25W/ PD=(TC=25oC)=55.6W其他参数:10V/2.8mΩ、4.5V/4.8mΩ极 性:N备 注:内含二极管