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当前位置：维库电子市场网>IC>ntmsd3p102r2g 更新时间:2024-04-29 21:28:11

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ntmsd3p102r2g中文资料

  • NTMSD3P102R2G的技术参数

    产品型号:ntmsd3p102r2g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):85最大漏极电流id(on)(a):3通道极性:p沟道封装/温度(℃):soic-8/-55 ~150描述:增强型功率mosfet集成肖特基二极管价格/1片(套):￥3.70 来源:xiangxueqin

  • NTMSD3P102R2G的技术参数

    产品型号:NTMSD3P102R2G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):20
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85
    最大漏极电流Id(on)(A):3
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):SOIC-8/-55 ~150
    描述:增强型功率MOSFET集成肖特基二极管
    价格/1片(套):￥3....

ntmsd3p102r2g替代型号

NTMS7N03R2G NTMS5P02R2G NTMS4705NR2G NTMS4704NR2G NTMS4503NR2G NTMS4107NR2G NTMS10P02R2G NTMFS4841NT1G NTMFS4841N NTMFS4839N

NTP125N02R NTP125N02RG NTP13N10 NTP13N10G NTP18N06 NTP18N06G NTP18N06L NTP18N06LG NTP22N06 NTP27N06

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