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  • 无线通信领域中的模拟技术发展趋势

    阻器可在整个工作温度范围内实现稳定性。晶圆的单独处理可实现 16 位初始 (initial) 电阻器匹配,比业界典型情况多出四位。它还具有漏极扩展 (drain-extended) cmos 晶体管,可为高振幅信号应用处理高达 30v 的电压。 此外,hpa07 提供了电压系数提高 4 倍的金属-绝缘体-金属 (mim) 电容器,并提供了高精度 tin 聚合物 (tin-poly) 电容器、较厚的铜金属路由层与存储器。这些特性使模拟工艺能够推出高精度集成产品。 opa300 与 opa301 只是该工艺生产的众多产品中的最初产品而已。它们具有 150mhz 的单位增益带宽、3nv/√hz 的低电压噪声以及 30ns 内 0.1% 的建立时间。opa300 采用工作电压为 2.7v (±1.35v) 至 5.5v (±2.75v) 的单电源供电,并具有关机功能,可将电源电流降低至 5μa,这对便携式低功耗应用非常有用。它们为驱动高速 sar adc 提供了低功耗单电源解决方案,同时还不影响性能。 bicom-iii bicom-iii 是一种硅锗 (sige) 工艺,

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