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对于轨至轨输入运放,传统的解决方案是将n沟道和p沟道mosfet并联使用来实现轨以外的摆动。问题是这里存在着一个过渡区,如图5.4所示,此处两对晶体管都是打开。在此区域,psr、cmr、偏移电压及偏移漂移都与通常情况不同。现代解决方法采用正在申请专利的低噪声电荷泵浦技术,来避免使用传统技术中的并联n沟道与p沟道mosfet。这样就能消除偏移量被打乱的过渡区。在整个共模范围内,opa363和 opa364均有线性偏移。上面给出的典型曲线是对1.8v电源来说的。当电源电压升到 +5v时,vos的变化及非线性特性将变得更差。因此,为获得共模输入电压下最好的线性度,我们将采用opa364。 设计拓扑: 既然我们知道我们所拥有的电压空间很少,那么让我们使用双极型晶体管而不是m
高频1/beta -3db处的精确幅度差。1阶分析结果与预测虽不精确,但肯定优于功能强大及直观的交流稳定性分析结果。 2.3 简单运放交流spice模型 正如我们所看到的,spice可以是一种用来检查1阶分析的强大分析工具。但对于交流稳定性分析,它要求我们用运放模型来构建电路。有时我们没有spice模型,但却拥有我们准备使用的运放数据资料。例如,假设我们没有opa364(单电源、rrio及cmos运放,由德州仪器公司提供的burr-brown产品)的运放模型。其数据资料给出的开环增益与相位曲线如图2.14所示。cmos运放的共同特点是,低频开环幅度与负载无关。这就是上面给出的默认10k?与100k? 负载例子。从该曲线的相位部分,我们用"对数定标技术"(参见本系列第1部分)可确定-45 处于的频率为29hz。opa364的统一增益带宽在7.4mhz频率上测得。我们首先用双极点方法来制定一个简单运放交流模型。我们将在相
其中在分析容性负载及其对1/β的影响时,希望ro包含ro的影响。 单电源运放的真实ro图3.11列出了一些针对很多单电源运放的实测ro。请注意,我们分析得出ro=40欧姆 的opa353测量值为44欧姆。这一接近的相互关系是因为我们所使用的从厂商数据资料中得到的数据也同样是对典型元件进行测量得出的数据! ro的实测技术如果我们没有任何厂商提供的ro指标而我们又想知道,那我们该怎么办?有两种真实的测量技术可用来测量ro。每种方法都是从察看开环增益/相位曲线与频率的关系曲线开始。图3.12给出了opa364的这一曲线,opa364为宽带(ugbw=7mhz、sr=5v/us、settle to 0.1%=1.5us)cmos、单电源(1.8v 至 5.5v)、rrio (轨至轨输入和输出)运放,它具有"在共模范围内的线性偏移"。如果我们选择以增益100和1 mhz频率来对此运放进行测试,那么将不会有环路增益aolβ。因此,如果我们在这些条件下测量rout,我们实际上将得到ro值。 图3.13所示的测试电路显示实际测量ro的一种方法。这种方法我们称其为ro激励法。这里opa364的输出通过交流耦合
(t1 may conduct and latch on during an esd event)作为一个主要的设计考虑因素,需要确保经过器件的所有路径均能够安全地经受住 eos 事件期间出现的电流和电压。如果您无法预见这些条件,同时您的 ic 也不能散出产生的热量,那么电路就可能会被损坏。了解放大器的内部 esd 电路,并预测它们在 eos 事件中的表现,是避免出现这些问题的一种有效方法。大多数运算放大器厂商均可提供 esd 电路的相关信息。eos 条件举例 利用 tina 软件工具和 opa364 宏模型生成的图 4 是使用低功耗 opa364 cmos 运算放大器的简单跟随器电路的一个例子。低频信号 vg1 表示来自变送器输出端的信号。该变送器远离放大器,有一条线缆 (tl1) 将它们连接起来。该电路中,周围环境使得线缆上出现了瞬态。 图 4 输入过驱动可能会激活 esd 保护电路图中翻译: (左图上)vg2无意瞬态、噪声、冲击等(vg2 unintended transients, noise impulses, etc.) (左图下)vg1 目标线性信号范围vp=
产品型号:OPA364AIDR
通道数:1
关断功能:No
工作电压Max. (V):5.500
工作电压Min. (V):1.800
每通道IQ(典型值)(mA):0.750
带宽GBW(典型值)(MHz):7
转换速率(典型值)(V/us):5
输入失调电压(25℃)(Max.)(mV):0.500
失调...
产品型号:OPA364AIDBVT
通道数:1
关断功能:No
工作电压Max. (V):5.500
工作电压Min. (V):1.800
每通道IQ(典型值)(mA):0.750
带宽GBW(典型值)(MHz):7
转换速率(典型值)(V/us):5
输入失调电压(25℃)(Max.)(mV):0.050
失...
1.8V操作电压;微小型封装;带宽:7MHz;共模抑制比:90dB(典型值);转换率:5V/μs;低失调:500μV(最大值);静态电流:750μA/通道(最大值);停机模式:<1μA/通道
术规格。 其主要特点为:四个全差分输入通道;2μs吞吐每通道;积分线性误差(inl)±3lsb(典型值);功耗150mw;2.5v内部基准;电源电压2.7v至5.5v;引脚兼容,可升级到ads7861(12位至16位)。除此以外还有12位、2x 2通道、串行接口adc7861;12位、2x 2通道、并行接口ads7862;16位、2x 2通道、串行接口ads8361等。 放大器 1.8v、7mhz、90db cmrr(共模抑制比)轨至轨i/o运算放大器opa363、opa364 0pa363和0pa364系列是专为低电压、单电源操作而优化的高性能cmos运算放大器。这些专为采用1.8v(±0.9v)至5.5v(±2.25v)的单工作电源而设计的放大器是电池供电型系统中的传感器放大以及信号调节的理想选择。此器件专为驱动中等速度(最高100khz)的a/d转换器进行了优化,并提供了卓越的cmrr,而无需采用传统的互补输入级中常见的交叉通路。输入共模范围包括正负电源,电源轨输出电压摆幅在的10mv以内。所有器件版本均针对-40℃至/125℃的工作范围拟订了技术