PSMN1R2-25YL
9000
SOT669/22+
只做原装，也只有原装
PSMN1R2-25YL
30000
N/A/22+
特价原装，假一赔十
PSMN1R2-25YL
30000
-/22+
代理渠道，价格优势
PSMN1R2-25YL
34500
-/-
授权，放心采购
PSMN1R2-25YL
60000
SOT669/22+
原装现货 诚客价优
PSMN1R2-25YL
98000
-/21+
代理分销商QQ4756848 支持一站式配单
PSMN1R2-25YL
5000
21+/NEXPERIA
-
PSMN1R2-25YL
7500
21+/LFPAK
原装
PSMN1R2-25YL
595
SOT1023/17+
只做进口原装现货
PSMN1R2-25YL
795
SOT1023/17+
-
PSMN1R2-25YL
18000
SOT669/23+
只做全新原装，支持BOM配单，假一罚十
PSMN1R2-25YL
6028
-/22+
提供BOM配单一站式采购
PSMN1R2-25YL
47196
SOT669/18+
原装现货，有意请来电或QQ洽谈
PSMN1R2-25YL
7500
LFPAK /2019+
-
PSMN1R2-25YL
11794
SOT89/1452+
只做原装，也只有原装
PSMN1R2-25YL
100
09+/SOT669
原装无铅现货
PSMN1R2-25YL
58
SOT669/10+
原装现货，市场价格
PSMN1R2-25YL
4500
SOT669/22+
只做原装实单必成假一罚十
PSMN1R2-25YL
6500
SOT669/23+
只做原装现货
PSMN1R2-25YL
47196
SOT669/23+
原装认证有意请来电或QQ洽谈
PSMN1R2-25YLDX
PSMN1R2-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
PSMN1R2-25YLDXPDF下载
PSMN1R2-25YLC,115
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
PSMN1R2-25YLC,115PDF下载
恩智浦半导体(nxp semiconductors，由飞利浦创立的独立半导体公司)今日宣布推出全球首款n通道、1毫欧以下25v mosfet产品，型号为psmn1r2-25yl，它拥有最低的导通电阻rdson以及一流的fom 参数。该产品是迄今为止采用power-so8封装(无损耗封装：lfpak)中拥有最低导通电阻rdson的mosfet，也是恩智浦现有mosfet系列的延伸。最新一代mosfet器件集高性能power-s08 lfpak封装与最新trench 6硅技术于一体，可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势，如电源or-ring、电机控制和高效同步降压器等。 恩智浦资深国际市场产品经理john david hughes先生表示：“在mosfet制造技术领域，改善性能是一场旷日持久的竞赛。我们在新trench 6工艺中采用创新技术，进一步减小了导通电阻。对客户而言，这一新的trench技术为他们带来许多优势，例如：提高的硅技术开关效率、出色的电阻和热阻封装性能。恩智浦power-s08 (lfpak) 封装与广为使用的power so-8 pcb封装相兼容。” 领先全球的恩智浦
恩智浦半导体(nxp semiconductors)日前宣布推出全球首款n通道、1毫欧以下25v mosfet产品，型号为psmn1r2-25yl，它拥有最低的导通电阻rdson以及一流的fom 参数。该产品是迄今为止采用power-so8封装(无损耗封装：lfpak)中拥有最低导通电阻rdson的mosfet，也是恩智浦现有mosfet系列的延伸。最新一代mosfet器件集高性能power-s08 lfpak封装与最新trench 6硅技术于一体，可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势，如电源or-ring、电机控制和高效同步降压器等。 领先全球的恩智浦trench 6 mosfet psmn1r2–25yl，采用power-s08 (lfpak)封装时25 v mosfet的rdson是0.9毫欧(典型值)，30 v mosfet的rdson达到1.0毫欧(典型值)。 除了全球最低rdson mosfet之外，恩智浦还宣布推出面向电源、电机控制和工业市场的新产品系列。该系列产品的工作电压为25 v、30 v、40 v和80 v，采用power-s08 (lfpak)和to220封装
恩智浦半导体(nxp semiconductors，由飞利浦创立的独立半导体公司)今日宣布推出全球首款n通道、1毫欧以下25v mosfet产品，型号为psmn1r2-25yl，它拥有最低的导通电阻rdson以及一流的fom 参数。该产品是迄今为止采用power-so8封装（无损耗封装：lfpak）中拥有最低导通电阻rdson的mosfet，也是恩智浦现有mosfet系列的延伸。最新一代mosfet器件集高性能power-s08 lfpak封装与最新trench 6硅技术于一体，可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势，如电源or-ring、电机控制和高效同步降压器等。 恩智浦资深国际市场产品经理john david hughes先生表示：“在mosfet制造技术领域，改善性能是一场旷日持久的竞赛。我们在新trench 6工艺中采用创新技术，进一步减小了导通电阻。对客户而言，这一新的trench技术为他们带来许多优势，例如：提高的硅技术开关效率、出色的电阻和热阻封装性能。恩智浦power-s08 (lfpak) 封装与广为使用的power so-8 pcb封装相兼容。”
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