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NXP推出N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品
恩智浦半导体(nxp semiconductors，由飞利浦创立的独立半导体公司)今日宣布推出全球首款n通道、1毫欧以下25v mosfet产品，型号为psmn1r2-25yl，它拥有最低的导通电阻rdson以及一流的fom 参数。该产品是迄今为止采用power-so8封装(无损耗封装：lfpak)中拥有最低导通电阻rdson的mosfet，也是恩智浦现有mosfet系列的延伸。最新一代mosfet器件集高性能power-s08 lfpak封装与最新trench 6硅技术于一体，可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势，如电源or-ring、电机控制和高效同步降压器等。恩智浦资深国际市场产品经理john david hughes先生表示：“在mosfet制造技术领域，改善性能是一场旷日持久的竞赛。我们在新trench 6工艺中采用创新技术，进一步减小了导通电阻。对客户而言，这一新的trench技术为他们带来许多优势，例如：提高的硅技术开关效率、出色的电阻和热阻封装性能。恩智浦power-s08 (lfpak) 封装与广为使用的power so-8 pcb封装相兼容。” 领先全球的恩智浦

NXP宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品
恩智浦半导体(nxp semiconductors)日前宣布推出全球首款n通道、1毫欧以下25v mosfet产品，型号为psmn1r2-25yl，它拥有最低的导通电阻rdson以及一流的fom 参数。该产品是迄今为止采用power-so8封装(无损耗封装：lfpak)中拥有最低导通电阻rdson的mosfet，也是恩智浦现有mosfet系列的延伸。最新一代mosfet器件集高性能power-s08 lfpak封装与最新trench 6硅技术于一体，可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势，如电源or-ring、电机控制和高效同步降压器等。领先全球的恩智浦trench 6 mosfet psmn1r2–25yl，采用power-s08 (lfpak)封装时25 v mosfet的rdson是0.9毫欧(典型值)，30 v mosfet的rdson达到1.0毫欧(典型值)。除了全球最低rdson mosfet之外，恩智浦还宣布推出面向电源、电机控制和工业市场的新产品系列。该系列产品的工作电压为25 v、30 v、40 v和80 v，采用power-s08 (lfpak)和to220封装
NXP推出采用Power SO8封装MOSFET全球首款低于1毫欧
恩智浦半导体(nxp semiconductors，由飞利浦创立的独立半导体公司)今日宣布推出全球首款n通道、1毫欧以下25v mosfet产品，型号为psmn1r2-25yl，它拥有最低的导通电阻rdson以及一流的fom 参数。该产品是迄今为止采用power-so8封装（无损耗封装：lfpak）中拥有最低导通电阻rdson的mosfet，也是恩智浦现有mosfet系列的延伸。最新一代mosfet器件集高性能power-s08 lfpak封装与最新trench 6硅技术于一体，可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势，如电源or-ring、电机控制和高效同步降压器等。恩智浦资深国际市场产品经理john david hughes先生表示：“在mosfet制造技术领域，改善性能是一场旷日持久的竞赛。我们在新trench 6工艺中采用创新技术，进一步减小了导通电阻。对客户而言，这一新的trench技术为他们带来许多优势，例如：提高的硅技术开关效率、出色的电阻和热阻封装性能。恩智浦power-s08 (lfpak) 封装与广为使用的power so-8 pcb封装相兼容。”

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