沟槽式产品，采用高速、多层铜互连技术以及高、低绝缘材料研发产品。光刻是减少dram线宽的关键工艺，193nm准分子激光扫描分步投影光刻将成为90nm 工艺的主流光刻设备，并向70nm工艺延伸，预计到2009年将应用45nm光刻设计尺寸，制备0.02μm特征尺寸的64gb产品，2012年可应用32nm光刻设计尺寸，制备0.016μm特征尺寸的256gb dram。dram按产品类型划分，市场上主要有单数据传输率的同步s(synchronous)dram和双倍数据速率ddr(double data rata sdram)以及直接接口dr(direct rambus)dram等三大类别产品系列。sdram的内存频率与cpu的频率能同步存取数据，节省执行指令及数据传输时间，应用片内时钟，使输入及输出能同步进行，实现无等待，当前主流的sdram的时钟频率为133mhz，有的已达到166 mhz。drdram采用高速而窄的存储总线与信息包指令，在存储记忆部分和主控部分都带有控制器，也是新一代的主流内存标准之一，主要用于对质量和速度有很高要求的带图形显示功能的pc中，其发展历程并不平坦，成本过高而饱受非议。
实例 由于片式元件和ic封装的贴装速度差别很大，有些比较专业供应商会分别给出二者的贴装速度。通常片式元件以“cph”为单位，而ic封装则以“眈”为单位。如果没有区分片式元件还是ic封装，则指片式元件的贴装速度。 无论供应商以什么格式和单位给出的贴装速度，都是理论速度，也称为标称速度，只有相对比较的参考意义，与实际生产中每个班次能够贴装的元器件数量（实际贴装生产率）相去甚远。 此外，在考察贴装速度和不同机器对比时也使用“循环速度”（cyclc ratc）或“测试速度”（test rata）这一指标。它是贴片机速度最基本的度量参数，类似上述理论速度，只是实际上还没有安放零件，机器尚处于空转的工作模式。这一速度值由于不涉及元件拾取、定中心以及安放等带来的影响，因此较之等效的理论速度要快一些。虽对机器的机械驱动效率进行比较，循环速度是有用的指标，但对于使用者实际意义不大，因此现在贴片机参数中一般不提供。 来源:ks99
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