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rdn080n25中文资料

  • 标准包装:

    500

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    FET - 单

  • 系列:

    -

  • FET 型:

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 特点:

    标准型

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    250V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    8A

  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

    500 毫欧 @ 4A，10V

  • Id 时的 Vgs(th)（最大）:

    4V @ 1mA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    30nC @ 10V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    543pF @ 10V

  • 功率 - 最大:

    35W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FN

  • 包装:

    散装

  • RDN080N25

    电流参数：ID=8A/IDP=32A/IDR=8A/IDRP=32A/IAS=8A/IGSS=10μA/IDSS=25μA电压参数：UDSS=250V/UGSS=±30V/UGS(th) =4V功 率： PD=35W其他参数： 10V/0.38Ω、tn=151ns极 性：N备 注：内含二极管

rdn080n25替代型号

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