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当前位置：维库电子市场网>IC>ref3012 更新时间:2026-04-11 09:43:44

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ref3012中文资料

  • 介绍一种零磁通型霍尔电流传感器设计

    度变化而变化，因此还需用温度补偿电路对其温度补偿。 1 系统设计框架 系统分为4个部分：1）霍尔元件的供电电路，由电压基准（电流基准）芯片为霍尔片提供工作电流；2）霍尔元件及磁芯，将感应片感应的磁场（该磁场由通电电流产生）转化为霍尔电压；3）放大电路，将微弱的霍尔电压进行放大；4）反馈部分，利用了磁平衡原理：一次侧电流所产生的磁场，通过二次线圈电流进行补偿，使磁芯始终处于零磁通工作状态。其系统总流程图如图1所示。 2 系统硬件电路设计 系统由±5 v的稳压源供电。用一片电压基准芯片ref3012为砷化镓系列的霍尔元件hw300b提供基准电压。hw300b是一款可采用电压模式供电和电流模式供电的霍尔元件，hw300b放在开有气隙的集磁环的气隙里，并用胶水加以固定。其具体电路图如图2所示。 2.1 ref3012 以sot23-3封装的ref3012是一个高精度、低功耗、低电压差电压参考系列芯片。ref3012小尺寸和低功耗（最大50μa）非常压。 2.2 霍尔元件 本设计采用砷化镓系列的hw300b型霍尔元件，输出霍尔电压范围122～204mv，输入、输出阻抗为240～55

  • REF3012AIDBZT的技术参数

    产品型号:REF3012AIDBZT
    输出电压(V):1.250
    静态电流(μA):50
    容限(%):0.200
    输入电压最小值(V):1.800
    输入电压最大值(V):5.500
    温度系数(ppm/℃):20
    封装/温度(℃):3SOP/-40~85
    描述:1.25V,50ppm/℃,50uASOT23-3封装电...

ref3012替代型号

REF2940AIDBZT REF2933AIDBZT REF2930AIDBZT REF2925AIDBZT REF2925 REF2920AIDBZT REF2912AIDBZT REF2912 REF25Z REF200AU

REF3012AIDBZT REF3020AIDBZT REF3025 REF3025AIDBZT REF3033AIDBZT REF3040AIDBZT REF3120AIDBZT REF3125 REF3133 REF3133AIDBZT

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