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REF3012
50ppm/C Max, 50UA in SOT23-3 CMOS VO...
TI
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50ppm/C Max, 50UA in SOT23-3 CMOS VO...
BB
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REF3012AIDBZR
Series Voltage Reference IC ±0.2% ...
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50ppm/C Max, 50UA in SOT23-3 CMOS VO...
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50ppm/C Max, 50UA in SOT23-3 CMOS VO...
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Series Voltage Reference IC ±0.2% ...
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度变化而变化,因此还需用温度补偿电路对其温度补偿。 1 系统设计框架 系统分为4个部分:1)霍尔元件的供电电路,由电压基准(电流基准)芯片为霍尔片提供工作电流;2)霍尔元件及磁芯,将感应片感应的磁场(该磁场由通电电流产生)转化为霍尔电压;3)放大电路,将微弱的霍尔电压进行放大;4)反馈部分,利用了磁平衡原理:一次侧电流所产生的磁场,通过二次线圈电流进行补偿,使磁芯始终处于零磁通工作状态。其系统总流程图如图1所示。 2 系统硬件电路设计 系统由±5 v的稳压源供电。用一片电压基准芯片ref3012为砷化镓系列的霍尔元件hw300b提供基准电压。hw300b是一款可采用电压模式供电和电流模式供电的霍尔元件,hw300b放在开有气隙的集磁环的气隙里,并用胶水加以固定。其具体电路图如图2所示。 2.1 ref3012 以sot23-3封装的ref3012是一个高精度、低功耗、低电压差电压参考系列芯片。ref3012小尺寸和低功耗(最大50μa)非常压。 2.2 霍尔元件 本设计采用砷化镓系列的hw300b型霍尔元件,输出霍尔电压范围122~204mv,输入、输出阻抗为240~55
产品型号:REF3012AIDBZT
输出电压(V):1.250
静态电流(μA):50
容限(%):0.200
输入电压最小值(V):1.800
输入电压最大值(V):5.500
温度系数(ppm/℃):20
封装/温度(℃):3SOP/-40~85
描述:1.25V,50ppm/℃,50uASOT23-3封装电...
寻找1.2——1.5v电压基准,误差小于%0.5容易购买。ti的ref3012哪里都没货。