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rtu002p02中文资料

  • 典型关断延迟时间:

    35 ns

  • 典型接通延迟时间:

    9 ns

  • 典型输入电容值@Vds:

    50 pF V @ 10

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 宽度:

    1.6mm

  • 封装类型:

    TSMT

  • 尺寸:

    2.9 x 1.6 x 0.85mm

  • 引脚数目:

    3

  • 最大功率耗散:

    200 mW

  • 最大栅源电压:

    ±12 V

  • 最大漏源电压:

    20 V

  • 最大漏源电阻值:

    1.5

  • 最大连续漏极电流:

    0.25 A

  • 每片芯片元件数目:

    1

  • 类别:

    功率 MOSFET

  • 通道模式:

    增强

  • 通道类型:

    P

  • 配置:

    单

  • 长度:

    2.9mm

  • 高度:

    0.85mm

  • RTU002P02

    电流参数：ID=±2.5A/IDP=±0.5A/IGSS=±10μA/IDSS=-1μA电压参数：UDSS=-20V/UGSS=±12V/UGS(th)=-2V功 率：PD=0.2W其他参数：-4.5V/1Ω,-2.5V/2Ω极 性：P

rtu002p02替代型号

RTS5151 RTS511B-000 RTS5111 RTS510BA-100 RTS501-1B RTS0073 RTS0071 RTR6500 RTR6350 RTR6285

RTU7010 RTU7012 RTU7105 RTU7300 RTU7305 RU2A RU3C RU4B ru4z RUN1

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