RURP860
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RURP860
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RURP860
332196
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军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单
RURP860
22358
TT220/22+
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RURP860
26800
TO220/2526+
只做原装,为客户做到零风险
RURP860
8000
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RURP860
5000
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RURP860
8A, 400V - 600V Ultrafast Diodes
FAIRCHILD
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RURP860
8A, 400V - 600V Ultrafast Diodes
INTERSIL
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RURP860
Diode Standard 600V 8A Through Hole ...
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RURP860
8A, 400V - 600V Ultrafast Diodes
INTERSIL [Intersil Corporation]
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RURP860
8A, 400V - 600V Ultrafast Diodes
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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RURP860CC
8A, 400V - 600V Ultrafast Dual Diode...
INTERSIL
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RURP860CC
8A, 400V - 600V Ultrafast Dual Diode...
INTERSIL [Intersil Corporation]
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石为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉,性脆而锋利。绿碳化硅是以石油焦和优质硅石为主要原料,添加食盐作为添加剂,通过电阻炉高温冶炼而成。其硬度介于刚玉和金刚石之间,机械强度高于刚玉。 使用高压superfet和一个sic肖特基二极管组成的ccm pfc测试电路,具体地说,将fairchild公司的600-vn沟道superfet mosfet(fca20n60)和6a sic肖特基二极管组合,与平面型mosfet(fqa24n50)和超高速二极管(rurp860)组合进行比较,比较内容为开关损耗与功效。此测试电路的工作频率100khz,输出电压和电流分别为400v与1a.导通时superfet的栅电阻是12ω,关断时为9.1ω。 分别测量mosfet与二极管的电压和电流来估算元件的功率损耗。并且量测输入与输出功率来计算系统的功效。满负荷下,mosfet信号波形由高电平向低电平跃迁时,输入为110vac,开关损耗通过vds与id的交叉区来测量。superfet开关时间大大地降低。平面型mosfet的关断损耗为159μj,superfet为125μj(
电流参数:IF(AV)=8A/IFRM=16A/IFSM=100A/IR(UR=400V)=100μA电压参数:URRM=URWM=UR=600V/UF(IF=8A)=1.5V功率:PD=75W其他参数:trr=60ns备 注:超快速二极管(IF(AV)为TC=155℃值)