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vt12的负极 此时g极接vg为正， q1因b极和e极之间处于反向偏压而截止，q3处于反向截止，q2因b极和e极之间处于正向偏压导通而导致q4、q7的导通，从而q6、q7导通并保持导通状态，只有当vt12先反向或撤除才重回截止。当g极接vg为负，q1、q2、q3和q4处于反向截止， q5的b极和e极之间因vg而处于正偏导通，从而使q6导通，继而q7、q6导通并得以保持导通状态。 3电路制作与实验验证 为了验证所设计电路，采用比较常用的npn三级管s8050和pnp三极管s8550来设计制作实际的测试电路板(pcb)，如图5所示。图6中所标识的t2、t1和g与图5所示的相同，也类似于双向可控硅的t2、t1和g三个接线极。利用该模块电路串入负载接通正或负的直流电源和触发信号来测试，所得结果如图7所示，在正或负触发信号接入前电流表上的指示为0，当正或负触发信号接通并撤离后电流表指示依然保持原来的电流值。该实验表明该电路在正负电源供电情况下能双向触发导通。 该模块电路在接通交流电源和脉冲控制信号时，其测验结果如图8所示。示波器探针1接触发信号，探针2接模块电路的两
降低。r12/r13为该线性隔离电路的增益，该增益主要为了满足输入模拟信号的动态范围支持到接近0~5 v。图3为cd4051+线性光耦模块电路图。 该单元中cd4051地址线a、b信号经由光耦隔离输入，用于控制选通四通道之一。 该电路经过实测得到的线性系数为：输入信号大于0.1 v后小于5%，大于0.4 v后优于1%，优于hcnr200标称的15%。该系统输出截止电压为3.277 v，在0.4 v～3.27 v内线性度良好。 （4）开关量模块：经由光耦隔离的io信号由pnp型晶体管s8550放大电流后驱动继电器。 （5）数字输出模块：该模块的设计采用了光耦隔离和磁耦合隔离两种方案。对照表明：作为io隔离磁耦adum1410比光耦使用方便，几乎不需要外接元件，还具有使能控制引脚；光耦隔离则需要外接电阻，但具有成本优势。后级驱动芯片uln2803的输入电流最大可达500 ma，支持的最大电压可达30 v，即：com端可以接5 v~24 v电源。经过驱动后输出端口主要用于驱动加热电机、泵、阀门之类的模块。 （6）can接口：本接口采用周立功公司具有隔离（dc 2500）、esd保
机，片内含可反复擦写1000次的4kb isp(in-system programmable) flash rom。其采用atmel公司的高密度、非易失性存储技术制造，兼容标准mcs-51指令系统及80c51引脚结构，集成了通用8位中央处理器和isp flash存储单元。 本设计中，采用单片机控制信号继电器来实现电路测试状态转换，信号继电器选用的是hke公司的hrs2h-s-dc5v，能够快速完成测试状态的转换，只需单片机5v供电电源即可，便于完成参数的校准。此外，继电器跳变由pnp三极管s8550来驱动完成。 3 液晶显示电路设计 智能彩色液晶显示器vk56b是上海广电集团北京分公司的产品，具有体积小、功耗低、无辅射、寿命长、超薄、防振及防爆等特点。该lcd采用工业级的cpu，机内配置有二级字库，可通过串口或三态数据总线并口接收控制命令数据，并自行对接收的命令和数据进行处理，以实时显示用户所要显示的各种曲线、图形和中西文字体。at89s51与智能化液晶vk56b的接口电路如图3所示。单片机与lcd采用并行通信设计，lcd自身具有一个三态数据总线并口（并口为cmos电平），可以
s 8位单片机，片内含可反复擦写1000次4kb isp（in-system programmable） flash rom。其采用atmel公司高密度、非易失性存储技术制造，兼容标准mcs-51指令系统及80c51引脚结构，集成了通用8位中央处理器和isp flash存储单元。 本设计中，采用单片机控制信号继电器来实现电路测试状态转换，信号继电器选用是hke公司hrs2h-s-dc5v，能够快速完成测试状态转换，只需单片机5v供电电源即可，便于完成参数校准。此外，继电器跳变由pnp三极管s8550来驱动完成。 3 液晶显示电路设计 智能彩色液晶显示器vk56b是上海广电集团北京分公司产品，具有体积小、功耗低、无辅射、寿命长、超薄、防振及防爆等特点。该 lcd采用工业级cpu，机内配置有二级字库，可通过串口或三态数据总线并口接收控制命令数据，并自行对接收命令和数据进行处理，以实时显示用户所要显示各种曲线、图形和中西文字体。at89s51与智能化液晶vk56b接口电路如图3所示。单片机与lcd采用并行通信设计，lcd自身具有一个三态数据总线并口（并口为cmos电平），可以同主机进
阻器或碳膜电阻器. p1选用线绕可变电阻器;rp2选用2w精密电位器或可变电阻器。 c1、c2、c4、c6、c7和c9均选用耐压值为25v的铝电解电容器;c3、c5和c8均选用独石电容器。 vd1选用2oa、400v的硅整流二极管，例如2cz59f等型号;vd2选用5oa、400v的硅整流二极管，例如2cz60f等型号;vd3~vd35均选用1n4007型硅整流二极管。 vs1~vs3均选用1w的硅稳压二极管。 v1选用s8550或3cg8550型硅pnp晶体管;v2选用2sa1o15或3cg1o15型硅pnp晶体管。 vu选用bt33f型单结晶体管。 vt选用5oa、400v以上的晶闸管。 k1和k2选用24v小型直流继电器。 来源:零八我的爱
smd三极管（sot-23封装）的表示方法 9011 1t 9012 2t 9013 j3 9014 j6 9015 m6 9016 y6 9018 j8 s8050 j3y s8550 2ty 8050 y1 8550 y2 2sa1015 ba 2sc1815 hf 2sc945 cr mmbt3904 1am mmbt3906 2a mmbt2222 1p mmbt5401 2l mmbt5551 g1 mmbta42 1d mmbta92 2d bc807-16 5a bc807-25 5b bc807-40 5c bc817-16 6a bc817-25 6b bc817-40 6c bc846a 1
a88a~3da88e、3da93a~3da93d、3da151a~3dg151d、3da1~3da5、3da100~3da108、3da14a~3da14d、3da30a~3da30d、3dg152a~3dg152j、3ca1~3ca9等型号。表5-3是各管的主要参数。 常用的进口高频中、大功率晶体管有2sa634、2sa636、2sa648a、2sa670、2sb940、2sb734、2sc2068、2sc2258、2sc2371、2sd1266a、2sd966、2sd8829、s8050、s8550、bd135、bd136等型号。 （三）超高频晶体管 超高频晶体管也称微波晶体管，其频率特性一般高于500mhz，主要用于电视、雷达、导航、通信等领域中处理微波波段（300mhz以上的频率）的信号。 1．国产超高频晶体管 常用的国产超高频晶体管有3ag95、3cg15a~3cg15d、3dg56（2g210）、3dg80（2g211、2g910）、3dg18a~3dg18c、2g711a~2g711e、3dg103、3dg112、3dg145~3dg156、3dg122、3dg123、3dg1
本文介绍的自制充电器用lm324的4个运算放大器作为比较器，用tl431设置电压基准，用s8550作为调整管，把输入电压降压，对电池进行充电，其原理电路见图1。其特点是电路简单、工作可靠、无需调整、元器件容易购买等，下面分几个部分进行介绍。 镍氢电池充电器电路 1、基准电压vref形成： 外接电源经插座x、二极管vd1后由电容c1滤波。vd1起保护作用，防止外接电源极性反接时损坏tl431。r3、r4、r5和tl431组成基准电压vref，根据图中参数vref= 2.5×(100+820)／820=2.80(v)，这个数据主要是针对镍氢充电电池而设计(单节镍氢充电电池充满后电压约为1.40v)。 2、大电流充电： (1)工作原理：接入电源， 电源指示灯led(vd2)点亮。装入电池(参考图片，实际上是用导线引出到电池盒， 电池装在电池盒中)，当电池电压低于vref时，ic1-1输出低电平，vt1导通，输出大电流给电池充电。此时，vt1处于放大状态-这是因为电池电压和-vd4压降的和约为3.2v(假设开始充电时电池电压约为2.5v)，而经vd1后的电压大约5.ov，所以，vt
文介绍的自制充电器用lm324的4个运算放大器作为比较器，用tl431设置电压基准，用s8550作为调整管，把输入电压降压，对电池进行充电，其原理电路见图。其特点是电路简单、工作可靠、无需调整、元器件容易购买等，下面分几个部分进行介绍。 1.基准电压vref形成 外接电源经插座x、二极管vd1后由电容c1滤波。vd1起保护作用，防止外接电源极性反接时损坏tl431。r3、r4、r5和tl431组成基准电压vref，根据图中参数vref= 2.5×(100+820)／820=2.80(v)，这个数据主要是针对镍氢充电电池而设计(单节镍氢充电电池充满后电压约为1.40v)。 2.大电流充电 (1)工作原理 接入电源， 电源指示灯led(vd2)点亮。装入电池(参考图片，实际上是用导线引出到电池盒， 电池装在电池盒中)，当电池电压低于vref时，ic1-1输出低电平，vt1导通，输出大电流给电池充电。此时，vt1处于放大状态-这是因为电池电压和-vd4压降的和约为3.2v(假设开始充电时电池电压约为2.5v)，而经vd1后的电压大约5.ov，所以，vt1的发射
太阳能热水器的控制、显示电路采用三节5号电池供电。电路由水位检测及报警电路、水温检测电路组成。当水位检测一体化探头置于室外容器中，接通开关ak时若水箱中无水，所有的水位指示灯均不亮(即l1～l4发光二极管均熄灭)。当水位上升至a点时，③脚和公共点e(电池负极)通过水阻相连。③脚电位被拉低，则①脚翻转为低电位，l1(红灯)亮，指示水位已上升至整个水箱的5％；继续加水，当水位依次升至b、c、d点时，l2(绿灯)、l3(黄灯)、l4(橙灯)依次点亮。此时，由于ic⑧脚输出低电位l4亮的同时，经r7拉低s8550、b极电位，s8550导通，触发音乐ic2(s一088bd)驱动高响度蜂鸣器y发声提示音。 当ak接通后，表m有电流流过，指示水温。rt为负温度系数热敏电阻，水温升高，其阻值变小，流过m指示大。l5为表头指示背景灯，接通电源即亮，w1、w2为表头调校电位器。 来源:zhengliping
中出现短时间停焊时，由于c2的延时作用，vl和v2仍维持导通状态。若停焊时间超过1·5min,c2放电完毕，则v2和vl截止，k和km释放;电焊机变压器倪进入断电节能状态。再次焊接时，将焊条与焊件接触即可。 调节rp的阻值，可改变v2动作的灵敏度。 元器件选择 rl和r2均选用1/4w金属膜电阻器。 rp选用有机实心电位器或合成碳膜电位器。 cl和c2均选用耐压值为5ov的铝电解电容器。 vdl-vd3均选用1n4007型硅整流二极管。 vl选用s8050型硅npn晶体管;v2选用s8550型硅pnp晶体管。 k选用jrx-l3f型24v直流继电器。 km选用线圈电压与电源电压相同的交流接触器，使用时将其各组常开触头并联使用。 tl选用low的电源变压器;t2为原电焊机变压器。 ta应根据t2的功率合理选用。
在照明状态。 当矿井内的瓦斯气体浓度超过限定标准时，气敏传感器a、b之司的内阻下降，使rp中心处电位上升，vd和v3导通，由vl、v2、r2、r3、cl、c2和k组成的振荡器振荡工作，k间歇动作，使矿灯el闪烁发光，提醒矿工注意安全。 调整rp的阻值，可改变v3导通的灵敏度。 元器件选择 rl-r3均选用1/4w金属膜电阻器。 rp选用小型合成碳膜电位器或可变电阻器。 cl和c2均选用耐压值为6·3v的铝电解电容器。 vd选用ln4148型硅开关二极管。 vl选用3cg8550或s8550型硅pnp晶体管;v2和v3选用s8050或3dg8050型硅npn晶体管。 气敏传感器选用qm-n5型气敏元件。 k选用4098或4099型直流继电器。 el、s和gb的原矿灯配件。 来源:university
能代替s8550的贴片三极管,价钱较平的有没有?能代替s8550的贴片三极管,价钱较平的有没有?带散热片的(sot-89)等,希请多多指教!急!
贴片s8550和直插式s8550的功率是否一样?
请教：一个继电器驱动，在生产中老是出问题如图，一个三极管，在产品中老是有些会自动闭合，把三极管换了就没事了。是我用的三极管有问题吗？三极管型号：s8550
哦，那还是8550比较合适啊。其实我手头有几个s8550样品，应该是国营厂的（不是作坊厂），在ic=1.4a的时候，压降大概0.9v的样子（持续10秒以上），虽然不理想，但是也可以用，我的应用是1/16的占空比，只要平均功率小，三级管就不会太热，参数就可以保持的，综合考虑到价格，我倾向于寻找8550。谢谢！
楼上说的跟我做的实验情况差不多，非常感谢！我用的三极管是s8050（npn）和s8550 （pnp）管，试验的时候，拨号后，没有听到回铃声，然后马上就断了，可是一看手机上面显示“通话结束”，时间是“0：00”，然后上网查了一下通话祥单，显示通话时间都是"00:00:01",1秒钟，还好没有扣花费。那我再换个三极管试一试，多谢多谢，如有新问题，再向您学习和请教
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