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  • 低压差线性稳压器（LDO）浅谈

    能的供电系统如图3-1(d)所示。 图3-1低压差线性稳压器(ldo)典型应用 四．国内ldo发展概况 中国集成电路(ic)产业经过40余年的发展，已经形成了一个良好的产业基础，并已经进入了一个加速发展的新阶段[2]。借鉴国外先进技术，充分利用国内优惠政策，是当前国内各个ic公司发展的立足点。 作为被广泛应用于手机、dvd、数码相机以及mp3等多种消费类电子产品中的稳压芯片，ldo已引起人们的高度重视。国内早期从事ldo生产的圣邦微电子有限公司生产的sg2001、sg2002及sg2003系列ldo，足以满足当前市场上主流电压、电流的需要；它的sg2004、sg2011以及sg2012系列产品，非常适合于大电流负载应用；而它的sgm2007/2006/2005系列rfldo更适用于手机电源的应用。尽管是国产芯片，但这些芯片的性能丝毫不逊色于国外同类产品，而价格更适合于当前国内市场。 由此看来，国内与国外ic发展的差距将不会越来越大，每个国人都可以相信，中国不仅可以成为ic产业的新兴地区，更能成为世界ic强国。 参考文献 [1]. sg2001 data

  • 低压差线性稳压器(LDO)简介

    如图3-1(d)所示。 图3-1 低压差线性稳压器(ldo)典型应用 四．国内ldo发展概况 中国集成电路(ic)产业经过40余年的发展，已经形成了一个良好的产业基础，并已经进入了一个加速发展的新阶段[2]。借鉴国外先进技术，充分利用国内优惠政策，是当前国内各个ic公司发展的立足点。 作为被广泛应用于手机、dvd、数码相机以及mp3等多种消费类电子产品中的稳压芯片，ldo已引起人们的高度重视。国内早期从事ldo生产的圣邦微电子有限公司生产的sg2001、sg2002及sg2003系列ldo，足以满足当前市场上主流电压、电流的需要；它的sg2004、sg2011以及sg2012系列产品，非常适合于大电流负载应用；而它的sgm2007/2006/2005系列rf ldo更适用于手机电源的应用。尽管是国产芯片，但这些芯片的性能丝毫不逊色于国外同类产品，而价格更适合于当前国内市场。 由此看来，国内与国外ic发展的差距将不会越来越大，每个国人都可以相信，中国不仅可以成为ic产业的新兴地区，更能成为世界ic强国。 参考文献 1．王国华，王鸿麟，羊彦等.便携

  • 用低压差线性稳压器优化开关电源设计

    之下钽电容器比较昂贵且其故障模式是短路。输出电容器的等效串联电阻(esr)会影响其稳定性，陶瓷电容器具有较低的esr，大概为10 mω量级，而钽电容器esr在100 mω量级。另外，许多钽电容器的esr随温度变化很大，会对ldo性能产生不利影响。电容的具体应用需要咨询ldo厂商以确保正确实施。 6. 封装 选择ldo产品时应考虑ldo的散热，负载大的ldo应尽可能选择大封装，这样有利于ldo性能稳定。 ldo应用于开关电源设计 遵循以上原则，本文选择哈尔滨圣邦微电子有限公司生产的sg2002和sg2012系列ldo。 应用ldo于开关电源的电路如图2所示，图中虚线部分是开关电源通常采用的电路，它可以给ldo提供+6v/1.5a的输出电压/电流。该电源应用sg2002-5.0xn5/tr、sg2012-3.3xkc3/tr、sg2012-2.5xkc3/tr以及sg2012-1.8xkc3/tr分别生成+5.0v/0.3a、3.3/0.4a、2.5v/0.4a以及1.8v/0.4a电压/电流。图中ldo芯片的输入端和输出端接有1uf的瓷片电容，以此提高ldo的稳定性。在每个ldo

  • 用低压差线性稳压器优化开关电源

    昂贵且其故障模式是短路。输出电容器的等效串联电阻(esr)会影响其稳定性，陶瓷电容器具有较低的esr，大概为10 mω量级，而钽电容器esr在100 mω量级。另外，许多钽电容器的esr随温度变化很大，会对ldo性能产生不利影响。电容的具体应用需要咨询ldo厂商以确保正确实施。 6. 封装 选择ldo产品时应考虑ldo的散热，负载大的ldo应尽可能选择大封装，这样有利于ldo性能稳定。 ldo应用于开关电源设计 遵循以上原则，本文选择哈尔滨圣邦微电子有限公司生产的sg2002和sg2012系列ldo。 应用ldo于开关电源的电路如图2所示，图中虚线部分是开关电源通常采用的电路，它可以给ldo提供+6v/1.5a的输出电压/电流。该电源应用sg2002-5.0xn5/tr、sg2012-3.3xkc3/tr、sg2012-2.5xkc3/tr以及sg2012-1.8xkc3/tr分别生成+5.0v/0.3a、3.3/0.4a、2.5v/0.4a以及1.8v/0.4a电压/电流。图中ldo芯片的输入端和输出端接有1uf的瓷片电容，以此提高ldo的稳定性。在每个l

  • 用低压差线性稳压器优化开关电源设计

    钽电容器比较昂贵且其故障模式是短路。输出电容器的等效串联电阻(esr)会影响其稳定性，陶瓷电容器具有较低的esr，大概为10 mω量级，而钽电容器esr在100 mω量级。另外，许多钽电容器的esr随温度变化很大，会对ldo性能产生不利影响。电容的具体应用需要咨询ldo厂商以确保正确实施。 6. 封装 选择ldo产品时应考虑ldo的散热，负载大的ldo应尽可能选择大封装，这样有利于ldo性能稳定。 ldo应用于开关电源设计 遵循以上原则，本文选择哈尔滨圣邦微电子有限公司生产的sg2002和sg2012系列ldo。 应用ldo于开关电源的电路如图2所示，图中虚线部分是开关电源通常采用的电路，它可以给ldo提供+6v/1.5a的输出电压/电流。该电源应用sg2002-5.0xn5/tr、sg2012-3.3xkc3/tr、sg2012-2.5xkc3/tr以及sg2012-1.8xkc3/tr分别生成+5.0v/0.3a、3.3/0.4a、2.5v/0.4a以及1.8v/0.4a电压/电流。图中ldo芯片的输入端和输出端接有1uf的瓷片电容，以此提高ldo的稳定性。在每个

sg2002替代型号

SG2001 SG200 SG1525AJ SG1525 SG1524 SG105 SG012 SG006 SFU455B SFT316

SG2002-5.0XN5/TR SG2003 SG2003J/883B SG2011 SG2012-3.3XKC3/TR SG-203 SG207 SG-211S SG2524D SG2524N

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