带有此标记的料号：
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2. 供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。
2490
SOIC8/1129+
进口原装现货
SI4398DY-T1-E3
80000
SOIC8/23+
原装现货
SI4398DY-T1-E3
2490
SOIC8/1129+
进口原装现货
SI4398DY-T1-E3
80000
SOIC8/23+
原装现货
SI4398DY
5000
10+/24+
原装现货，提供优质服务
SI4398DY
5000
10+/22+
原厂渠道可追溯，精益求精只做原装
SI4398DY
798200
SOP8/22+
原厂原装现货
SI4398DY
5000
10+/24+
房间现货，诚信经营，提供BOM配单服务
SI4398DY
50000
SOP8/22+
-
SI4398DY
7300
10+/23+
原装现货
SI4398DY
23412
10+/23+
提供一站式配单服务
SI4398DY
48000
10+/23+
只做原装,提供一站式配套服务，BOM表秒报
SI4398DY
12260
10+/23+
高品质 优选好芯
SI4398DY
7300
10+/23+
原装现货
SI4398DY
18001
-/NEW
一级代理保证
SI4398DY
8700
10+/2023+
原装现货
SI4398DY
8850
-/21+
原厂渠道，现货配单13312978220
SI4398DY
489000
NEW/NEW
一级代理正品保证
SI4398DY
9208
10+/22+
特价支持，只做原装现货
SI4398DY
28800
10+/22+
原装现货，提供配单服务
s.width=500}" border=0> 日前推出的这三款n通道mosfet具有20v漏极到源极与栅极到源极额定值，并且在so-8占位面积中具有低至1.6毫欧的导通电阻规格。与同类竞争器件相比，这些vishay siliconix功率mosfet的导通电阻性能比市场上具有相同电压规格及封装类型的仅次之的器件低36%。设计人员将根据他们应用的具体电路及热要求，从日前推出的这三款trenchfet第二代器件中进行选择。 与采用so-8封装的任何类似功率mosfet相比，新型si4398dy的导通电阻低36%，在10v时rds(on)额定值为2.8毫欧。除or-ing应用外，si4398dy还可用于低功耗整流、直流到直流以及负载点功率转换电路。对于低压电源，在采用so-8封装的器件中，si4398dy具有最佳的rds(on)额定值。当功率增加时，采用热增强型封装的功率mosfet可在相同占位面积中传导更多电流，从而可减少应用所需的器件数。在需要冗余电路的交流或直流开关模式电源中，这可实现通过12v的轨电压拓扑结构增加功率密度。 为在静止空气环境中实现最佳散热效果，vish
这些器件的功耗可极大降低能源成本。 日前推出的这三款n通道mosfet具有20v漏极到源极与栅极到源极额定值，并且在so-8占位面积中具有低至1.6毫欧的导通电阻规格。与同类竞争器件相比，这些vishay siliconix功率mosfet的导通电阻性能比市场上具有相同电压规格及封装类型的仅次之的器件低36%。设计人员将根据他们应用的具体电路及热要求，从日前推出的这三款trenchfet第二代器件中进行选择。 与采用so-8封装的任何类似功率mosfet相比，新型si4398dy的导通电阻低36%，在10v时rds(on)额定值为2.8毫欧。除or-ing应用外，si4398dy还可用于低功耗整流、直流到直流以及负载点功率转换电路。对于低压电源，在采用so-8封装的器件中，si4398dy具有最佳的rds(on)额定值。当功率增加时，采用热增强型封装的功率mosfet可在相同占位面积中传导更多电流，从而可减少应用所需的器件数。在需要冗余电路的交流或直流开关模式电源中，这可实现通过12v的轨电压拓扑结构增加功率密度。 为在静止空气环境中实现最佳散热效果，v
日前推出的这三款 n 通道 mosfet 具有 20v 漏极到源极与栅极到源极额定值，并且在 so-8 占位面积中具有低 至 1.6 毫欧的导通电阻规格。与同类竞争器件相比，这些 vishay siliconix 功率 mosfet 的导通电阻性能比市场上具有相同电压规格及封装类型的仅次之的器件低 36%。 设计人员将根据他们应用的具体电路及热要求，从日前推出的这三款 trenchfet® 第二代器件中进行选择。 与采用 so-8 封装的任何类似功率 mosfet 相比，新型 si4398dy的导通电阻低 36%，在 10v 时 rds(on)额定值为 2.8 毫欧。除 or-ing 应用外，si4398dy还可用于低功耗整流、直流到直流以及负载点功率转换电路。 对于低压电源，在采用 so-8 封装的器件中，si4398dy具有最佳的 rds(on)额定值。当功率增加时，采用热增强型封装的功率 mosfet 可在相同占位面积中传导更多电流，从而可减少应用所需的器件数。在需要冗余电路的交流或直流开关模式电源中，这可实现通过 12v 的轨电压拓扑结构增加功率密度。 为在静止空气环境中实
的整个负载，因此降低这些器件的功耗可极大降低能源成本。 日前推出的这三款n通道mosfet具有20v漏极到源极与栅极到源极额定值，并且在so-8占位面积中具有低至1.6毫欧的导通电阻规格。与同类竞争器件相比，这些vishay siliconix功率mosfet的导通电阻性能比市场上具有相同电压规格及封装类型的仅次之的器件低36%。设计人员将根据他们应用的具体电路及热要求，从日前推出的这三款trenchfet第二代器件中进行选择。 与采用so-8封装的任何类似功率mosfet相比，新型si4398dy的导通电阻低36%，在10v时rds(on)额定值为2.8毫欧。除or-ing应用外，si4398dy还可用于低功耗整流、直流到直流以及负载点功率转换电路。对于低压电源，在采用so-8封装的器件中，si4398dy具有最佳的rds(on)额定值。当功率增加时，采用热增强型封装的功率mosfet可在相同占位面积中传导更多电流，从而可减少应用所需的器件数。在需要冗余电路的交流或直流开关模式电源中，这可实现通过12v的轨电压拓扑结构增加功率密度。 为在静止空气环境中实现最佳散热效果，vishay
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