SI4642DY
60000
SOP8/2025+
进口原装
SI4642DY
1
N/A/25+
回收此型号SI4642DY
SI4642DY
128000
SOP8/23+
全新原装现货/优势渠道/提供一站式配单
SI4642DY
20000
-/-
-
SI4642DY
36000
SOP8/23+
亚太地区一级代理,二十年BOM配单专家,原装现货
SI4642DY
183592
SOP8/24+
原装正支持实单
SI4642DY
8913
SOP8/23+
柒号芯城,离原厂的距离只有0.07公分
SI4642DY
5270
SOP8/21+
-
SI4642DY
6800
SOP8/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈
SI4642DYT1E3
8000
8SOIC/23+
原厂渠道,现货配单
SI4642DYT1E3
8500
8SOIC/2025+
原装现货
SI4642DYT1E3
9000
8SOIC/2024+
原厂渠道,现货配单
SI4642DY-T1-E3
9850
SOP8/24+
原装仓库现货 量大可订货期7-10天
SI4642DY-T1-E3
100500
SOP8/2519+
一级代理专营品牌原装,优势现货,长期排单到货
SI4642DY-T1-E3
26800
SOP8/2526+
只做原装,为客户做到零风险
SI4642DY-T1-E3
30000
SOP8/24+
原装,一站式BOM配单
SI4642DY-T1-E3
10000
8SOIC/-
原装现货,可开票,提供账期诚信服务
SI4642DY-T1-E3
6607
-/2024+
现货假一罚万只做原厂原装现货
SI4642DY-T1-E3
347754
SOP8/25+
军工单位、研究所指定合供方,一站式解决BOM配单
SI4642DY-T1-E3
50000
SOP8/24/25+
10年连接-100%原装-1000年初心
SI4642DY
Vishay Siliconix [N-Channel 30-V (D...
VISAY
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vishay推出单片功率 mosfet 与肖特基二极管器件,该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高 6%。 新型 vishay siliconix si4642dyskyfet器件已经过测试,可匹敌竞争的单片 mosfet/肖特基器件,以及使用相同控制器 ic 及高端 mosfet 的业界标准分立 mosfet 与肖特基二极管组合。无论在轻负载还是在重负载情况下,使用 skyfet 器件的电路在运行时均具有更高效率。例如,在 300khz、6a 时,效率超过 91%。这些优势是通过以下特性实现的:si4642dy整合肖特基二极管的低正向压降与反向恢复电荷,以及通过将两器件整合到单个芯片中实现的更低 pcb 寄生电感。 新型 si4642dyskyfet 功率 mosfet 一般将在面向笔记本电脑内核电压与 vrm 应用的同步降压转换器、显卡、负载点功率转换及计算机与服务器中的同步整流中用作低端功率 mosfet。该新型器件将 30v 击穿电压与 10v 栅极驱动时 3.75 毫欧的 mosfet 导通电阻进行了完美结合。 与使用单独元件或共同封装的元件相比,将肖特基二极管与 mosf
vishay推出单片功率mosfet与肖特基二极管器件,与使用任何先前此类单片器件的电路相比,该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高6%。新型vishay siliconix si4642dyskyfet器件已经过测试,可匹敌竞争的单片mosfet/肖特基器件,以及使用相同控制器 ic 及高端 mosfet 的业界标准分立 mosfet 与肖特基二极管组合。无论在轻负载还是在重负载情况下,使用skyfet器件的电路在运行时均具有更高效率。例如,在 300khz、6a 时,效率超过 91%。这些优势是通过以下特性实现的:si4642dy整合肖特基二极管的低正向压降与反向恢复电荷,以及通过将两器件整合到单个芯片中实现的更低 pcb 寄生电感。 新型si4642dyskyfet功率mosfet 一般将在面向笔记本电脑内核电压与 vrm 应用的同步降压转换器、显卡、负载点功率转换及计算机与服务器中的同步整流中用作低端功率 mosfet。该新型器件将 30v 击穿电压与 10v 栅极驱动时 3.75 毫欧的 mosfet 导通电阻进行了完美结合。 与使用单独元件或共同封装的元件相比,
vishay推出单片功率mosfet与肖特基二极管器件,与使用任何先前此类单片器件的电路相比,该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高6%。新型vishay siliconix si4642dyskyfet器件已经过测试,可匹敌竞争的单片mosfet/肖特基器件,以及使用相同控制器 ic 及高端 mosfet 的业界标准分立 mosfet 与肖特基二极管组合。无论在轻负载还是在重负载情况下,使用skyfet器件的电路在运行时均具有更高效率。例如,在 300khz、6a 时,效率超过 91%。这些优势是通过以下特性实现的:si4642dy整合肖特基二极管的低正向压降与反向恢复电荷,以及通过将两器件整合到单个芯片中实现的更低 pcb 寄生电感。 新型si4642dyskyfet功率mosfet 一般将在面向笔记本电脑内核电压与 vrm 应用的同步降压转换器、显卡、负载点功率转换及计算机与服务器中的同步整流中用作低端功率 mosfet。该新型器件将 30v 击穿电压与 10v 栅极驱动时 3.75 毫欧的 mosfet 导通电阻进行了完美结合。 与使用单独元件或共同封装的元件相比,将肖