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vishay推出单片功率 mosfet 与肖特基二极管器件，该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高 6%。 新型 vishay siliconix si4642dyskyfet器件已经过测试，可匹敌竞争的单片 mosfet/肖特基器件，以及使用相同控制器 ic 及高端 mosfet 的业界标准分立 mosfet 与肖特基二极管组合。无论在轻负载还是在重负载情况下，使用 skyfet 器件的电路在运行时均具有更高效率。例如，在 300khz、6a 时，效率超过 91%。这些优势是通过以下特性实现的：si4642dy整合肖特基二极管的低正向压降与反向恢复电荷，以及通过将两器件整合到单个芯片中实现的更低 pcb 寄生电感。 新型 si4642dyskyfet 功率 mosfet 一般将在面向笔记本电脑内核电压与 vrm 应用的同步降压转换器、显卡、负载点功率转换及计算机与服务器中的同步整流中用作低端功率 mosfet。该新型器件将 30v 击穿电压与 10v 栅极驱动时 3.75 毫欧的 mosfet 导通电阻进行了完美结合。 与使用单独元件或共同封装的元件相比，将肖特基二极管与 mosf
vishay推出单片功率mosfet与肖特基二极管器件，与使用任何先前此类单片器件的电路相比，该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高6%。新型vishay siliconix si4642dyskyfet器件已经过测试，可匹敌竞争的单片mosfet/肖特基器件，以及使用相同控制器 ic 及高端 mosfet 的业界标准分立 mosfet 与肖特基二极管组合。无论在轻负载还是在重负载情况下，使用skyfet器件的电路在运行时均具有更高效率。例如，在 300khz、6a 时，效率超过 91%。这些优势是通过以下特性实现的：si4642dy整合肖特基二极管的低正向压降与反向恢复电荷，以及通过将两器件整合到单个芯片中实现的更低 pcb 寄生电感。 新型si4642dyskyfet功率mosfet 一般将在面向笔记本电脑内核电压与 vrm 应用的同步降压转换器、显卡、负载点功率转换及计算机与服务器中的同步整流中用作低端功率 mosfet。该新型器件将 30v 击穿电压与 10v 栅极驱动时 3.75 毫欧的 mosfet 导通电阻进行了完美结合。 与使用单独元件或共同封装的元件相比，
vishay推出单片功率mosfet与肖特基二极管器件，与使用任何先前此类单片器件的电路相比，该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高6%。新型vishay siliconix si4642dyskyfet器件已经过测试，可匹敌竞争的单片mosfet/肖特基器件，以及使用相同控制器 ic 及高端 mosfet 的业界标准分立 mosfet 与肖特基二极管组合。无论在轻负载还是在重负载情况下，使用skyfet器件的电路在运行时均具有更高效率。例如，在 300khz、6a 时，效率超过 91%。这些优势是通过以下特性实现的：si4642dy整合肖特基二极管的低正向压降与反向恢复电荷，以及通过将两器件整合到单个芯片中实现的更低 pcb 寄生电感。 新型si4642dyskyfet功率mosfet 一般将在面向笔记本电脑内核电压与 vrm 应用的同步降压转换器、显卡、负载点功率转换及计算机与服务器中的同步整流中用作低端功率 mosfet。该新型器件将 30v 击穿电压与 10v 栅极驱动时 3.75 毫欧的 mosfet 导通电阻进行了完美结合。 与使用单独元件或共同封装的元件相比，将肖
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