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SI9953DY Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISHAY SI9953DYPDF下载
SI9953DY Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET VISAY [Vishay Siliconix] SI9953DYPDF下载

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型号厂家封装批号数量日期价格
SI9953DY VISHAY SOP8 特僐熱賃絕 2007/10/28 0:00:00 0.8000/pcs
SI9953DY SILICONIX SO-8 2007/5/29 0:00:00 0.8000/pcs
SI9953DY VISHAY SMD 05+ 2007/5/30 0:00:00 1.0000/pcs
SI9953DY SI SOP 97+ 2007/5/30 0:00:00 1.2000/pcs
SI9953DY VISHAY SOP-8 06+ 2007/5/30 0:00:00 1.2000/pcs
SI9953DY SILICONIX SOP-8P 99+ 2007/5/30 0:00:00 1.2000/pcs
SI9953DY VISHAY SOP-8 06++ 2007/5/30 0:00:00 1.3000/pcs
SI9953DY VISHAY TSSOP-8 05+ 2007/5/31 0:00:00 1.5000/pcs
SI9953DY VISHAY SOP-8 06++ 2007/5/30 0:00:00 1.5000/pcs
SI9953DY SILICONIX SOP-8P 99+ 2007/5/30 0:00:00 1.5000/pcs

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引脚图及结构图
相关电路图

制造商:
Vishay
晶体管极性:
P-Channel
汲极/源极击穿电压:
20 V
闸/源击穿电压:
+/- 20 V
漏极连续电流:
2.3 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:
0.25 Ohms
配置:
Dual
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOIC-8 Narrow
下降时间:
10 ns
最小工作温度:
- 55 C
功率耗散:
2 W
上升时间:
12 ns
工厂包装数量:
100
典型关闭延迟时间:
20 ns

SI9953DY
电流参数：ID=±2.3A/IDM=±10A/IS=1.7A电压参数：UDS=-20V/UGS=±20V功率： PD=2W其他参数：10V/0.12Ω、4.5V/0.22Ω,trr=70ns极性：P

555可编程快速充电器电路
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制造商:

晶体管极性:

汲极/源极击穿电压:

闸/源击穿电压:

漏极连续电流:

电阻汲极/源极 RDS（导通）:

配置:

最大工作温度:

安装风格:

封装 / 箱体:

下降时间:

最小工作温度:

功率耗散:

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