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  • Vishay推出两款20V和两款30Vn通道器件SiS426DN和SiR496DP

    vishay intertechnology, inc.推出两款20v和两款30v n通道器件，从而扩展其第三代trenchfet功率mosfet系列。这些器件首次采用 turbofet技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。 这次vishay推出的20v器件包括sis426dn和sir496dp，其中sis426dn器件采用尺寸3mm×3mm的powerpak 1212-8封装，可为此额定电压的设备提供业界最低的导通电阻与栅极电荷乘积。对于sis426dn而言，直流到直流转换器中针对mosfet的此关键优值(fom)在4.5v时为76.6mω-nc，而在10v时为117.60mω-nc；它在4.5v栅极驱动时典型栅极电荷低至13.2 nc，在10v栅极驱动时低至28 nc。与最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在4.5v及10v时栅极电荷分别降低45%与36%，fom降低50%。更低的栅极电荷意味着在所有频率时更有效的切换，尤其是可让设计人员选择以更高的频率工作，从而确保在直流到直流转换器中使用更小的无源元件。 vishay的30v

  • Vishay推出采用TurboFET技术MOSFETSiS426DN和SiR496DP

    日前，vishay intertechnology, inc.推出两款20v和两款30v n通道器件，从而扩展其第三代trenchfet功率mosfet系列。这些器件首次采用 turbofet技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。 这次vishay推出的20v器件包括sis426dn和sir496dp，其中sis426dn器件采用尺寸3mm×3mm的powerpak 1212-8封装，可为此额定电压的设备提供业界最低的导通电阻与栅极电荷乘积。对于sis426dn而言，直流到直流转换器中针对mosfet的此关键优值(fom)在4.5v时为76.6mω-nc，而在10v时为117.60mω-nc；它在4.5v栅极驱动时典型栅极电荷低至13.2 nc，在10v栅极驱动时低至28 nc。与最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在4.5v及10v时栅极电荷分别降低45%与36%，fom降低50%。更低的栅极电荷意味着在所有频率时更有效的切换，尤其是可让设计人员选择以更高的频率工作，从而确保在直流到直流转换器中使用更小的无源元件。 vishay的

  • Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET采用TurboFET技术

    日前，vishay intertechnology推出两款 20v 和两款 30v n 通道器件，从而扩展其第三代 trenchfet 功率mosfet 系列。这些器件首次采用turbofet 技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。 这次vishay推出的20v 器件包括sis426dn 和sir496dp，其中sis426dn器件采用尺寸 3mm × 3mm 的 powerpak 1212-8 封装，可为此额定电压的设备提供业界最低的导通电阻与栅极电荷乘积。对于 sis426dn 而言，直流到直流转换器中针对 mosfet 的此关键优值 (fom) 在 4.5v 时为 76.6 m-nc，而在 10 v 时为 117.60 m-nc；它在 4.5v 栅极驱动时典型栅极电荷低至 13.2 nc，在 10v 栅极驱动时低至 28 nc。与最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在 4.5v 及 10v 时栅极电荷分别降低 45% 与 36%，fom 降低 50%。更低的栅极电荷意味着在所有频率时更有效的切换，尤其是可让设计人员选择以更高的频率

  • Vishay Siliconix采用 TurboFET™技术的第三代功率 MOSFET

    vishay intertechnology, inc.（nyse 股市代号：vsh）推出两款 20v 和两款 30v n 通道器件，从而扩展其第三代 trenchfet? 功率 mosfet 系列。这些器件首次采用 turbofet? 技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。 这次vishay推出的20v 器件包括sis426dn 和sir496dp，其中sis426dn器件采用尺寸 3mm × 3mm 的 powerpak? 1212-8 封装，可为此额定电压的设备提供业界最低的导通电阻与栅极电荷乘积。对于 sis426dn 而言，直流到直流转换器中针对 mosfet 的此关键优值 (fom) 在 4.5v 时为 76.6 m?-nc，而在 10 v 时为 117.60 m?-nc；它在 4.5v 栅极驱动时典型栅极电荷低至 13.2 nc，在 10v 栅极驱动时低至 28 nc。与最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在 4.5v 及 10v 时栅极电 荷分别降低 45% 与 36%，fom 降低 50%。更低的栅极电荷意味

  • 采用TurboFET技术的第三代功率MOSFET（Vishay）

    日前，vishay intertechnology, inc.推出两款 20v 和两款 30v n 通道器件，从而扩展其第三代 trenchfet® 功率 mosfet 系列。这些器件首次采用 turbofet™ 技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。 这次vishay推出的20v 器件包括sis426dn 和sir496dp，其中sis426dn器件采用尺寸 3mm × 3mm 的 powerpak® 1212-8 封装，可为此额定电压的设备提供业界最低的导通电阻与栅极电荷乘积。对于 sis426dn 而言，直流到直流转换器中针对 mosfet 的此关键优值 (fom) 在 4.5v 时为 76.6 mΩ-nc，而在 10 v 时为 117.60 mΩ-nc；它在 4.5v 栅极驱动时典型栅极电荷低至 13.2 nc，在 10v 栅极驱动时低至 28 nc。与最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在 4.5v 及 10v 时栅极电荷分别降低 45% 与 36%，fom 降低 50%。

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