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Fast IGBT in NPT-technology with sof...
Infineon Technologies AG
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分离式半导体产品
IGBT - 单路
-
NPT
1200V
3.6V @ 15V，25A
46A
313W
标准型
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
管件
SP000012571
sfet, 开关频率直达100khz, 开关损耗仅为gtr的30%。 igbt将场控型器件的优点与gtr的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。目前458系列因应不同机种采了不同规格的igbt,它们的参数如下:(1) sgw25n120----西门子公司出品,耐压1200v,电流容量25℃时46a,100℃时25a,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6a/1200v以上的快速恢复二极管(d11)使用,该igbt配套6a/1200v以上的快速恢复二极管(d11)后可代用skw25n120。(2) skw25n120----西门子公司出品,耐压1200v,电流容量25℃时46a,100℃时25a,内部带阻尼二极管,该igbt可代用sgw25n120,代用时将原配套sgw25n120的d11快速恢复二极管拆除不装。(3) gt40q321----东芝公司出品,耐压1200v,电流容量25℃时42a,100℃时23a, 内部带阻尼二极管, 该igbt可代用sgw25n120、skw25n120, 代用sgw25n120时请将原配套该igbt的d11快速恢复二极管拆除不装。(4) gt
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