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组和次级绕组采用间绕方式。另外,绕制变压器时无需留气隙。 3.4 输出电感的选取 在最大输入电压vmax 下确定输出电感,以保证电流连续性。假设电感峰- 峰值纹波电流△f 为最大负载电流的15%~20%. 计算出lo=121.58 μh. 3.5 dpa- switch 外围电路设计 开关电源原理如图5 所示。由c1、c2、l1 组成输入emi 滤波部分。为防止dpa- switch 内部开关管漏极电压受初级漏感电流的影响而超出其额定值,在初级侧增加箝位网络,选smbj150 起到24 v限压作用。r1 设置器件的起始电压,r2 用于器件限流。c4 吸收纹波,与dpa- switch 的control 引脚相连的r3 和c4 一起构成了反馈环路的补偿网络。d1、c5 调整过滤偏压。 图5 开关电源原理 3.6 多路输出电路设计 主输出采用同步整流电路,使用无源的rc 电路驱动mosfet 整流管,可以避免栅极过电压的情况。同步整流管采用si4804 型功率mosfet, 其额定工作电流7.5 a , 最高反向工作电压35 v.c6通过r5 对开关管
绕组采用间绕方式。另外, 绕制变压器时无需留气隙。 3.4 输出电感的选取 在最大输入电压vmax 下确定输出电感, 以保证电流连续性。假设电感峰- 峰值纹波电流△f 为最大负载电流的15%~20%。 计算出lo=121.58 μh。 3.5 dpa- switch 外围电路设计 开关电源原理如图5 所示。由c1、c2、l1 组成输入emi 滤波部分。为防止dpa- switch 内部开关管漏极电压受初级漏感电流的影响而超出其额定值, 在初级侧增加箝位网络, 选smbj150 起到24 v限压作用。r1 设置器件的起始电压, r2 用于器件限流。c4 吸收纹波, 与dpa- switch 的control 引脚相连的r3 和c4 一起构成了反馈环路的补偿网络。d1、c5 调整过滤偏压。 图5 开关电源原理 3.6 多路输出电路设计 主输出采用同步整流电路, 使用无源的rc 电路驱动mosfet 整流管, 可以避免栅极过电压的情况。同步整流管采用si4804 型功率mosfet, 其额定工作电流7.5 a , 最高反向工作电压35 v。c6通过r5
大大简化电路设计。由c1、l1和c2构成输入端的电磁干扰(emi)滤波器,可滤除由电网引入的电磁干扰。r1用来设定欠电压值(uuv)及过电压值(uov),取r1=619kω时,uuv=619kω×50μa+2.35v=33.3v,uov=619kω×135μa+2.5v=86.0v。当输入电压过高时r1还能线性地减小最大占空比,防止磁饱和。r3为极限电流设定电阻,取r3=11.1kω时,所设定的漏极极限电流i′limit=0.6ilimit=0.6×2.50a=1.5a。电路中的稳压管vdz1(smbj150)对漏极电压起箝位作用,能确保高频变压器磁复位。 该电源采用漏-源通态电阻极低的si4800型功率mosfet做整流管,其最大漏-源电压uds(max)=30v,最大栅-源电压ugs(max)=±20v,最大漏极电流为9a(25℃)或7a(70℃),峰值漏极电流可达40a,最大功耗为2.5w(25℃)或1.6w(70℃)。si4800的导通时间ton=13ns(包含导通延迟时间td(on)=6ns,上升时间tr=7ns),关断时间toff=34ns(包含关断延迟时间td(off)=23ns
电流参数:IT=1mA/IPPM=2.3A/IR=5μA电压参数:URWM=150V/UBR=176~204V/UC=268V功 率:PPPM=600W备 注:瞬态电压抑制二极管