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Transistor; Transistor Type:MOSFET; ...
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一项——正向通态损耗，其中ifrms为正向电流有效值； rds（on）——功率mos管的通态电阻； 第二项——开关过程中功率mos管输入电容cin充放电引起的损耗，其中f为开关频率； cin——等效输人电容； ugs——门极驱动电压。 由式（7-5）可知，sr的功耗与rds(on)和cin有关，在工程上用两者的乘积表示sr的损耗大小： 式中，k为损耗因数，单位为nf·mω。以vishay公司生产的sum110n04－02l同步整流管为例，其阻断电压为40v，额定电流为110a，输人电容约为7.3 nf，结温为125℃时的通态电阻不大于3.7 mo，κ＝27 nf·mω。 为了减小通态电阻。可以将几个低压功率mos管并联组成sr。但在高频时，多管并联后寄生电容也成倍增大，因而输入电容的充、放电引起的损耗也将大幅增加。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网（www.dzsc.com） 来源:ks99
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