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一、关于tea1762t的一般介绍 tea1762t采用so14封装,引脚配置如图1所示。图2为其芯片电路组成框图。 tea1762t的各个引脚功能如表1所列。 将图2所示的tea1762t芯片电路与tea1761t的芯片电路进行比较,主要不同点是: (1)tea1762t的感测地和功率级地是分开的; (2)tea1762t将2.5v(±1%)的参考电压从引脚9(引脚vref)引出; (3)tea1762t增设了门限电压是1.25v的保护输入引脚4(引脚protect); (4)tea1762t比tea1761t多出一个光耦合器驱动器输出。 二、 tea1762t的典型应用电路 tea1762t的应用电路实例如图3所示。 tr为反激式变压器,qprim是初级功率开关(mosfet),qsec是次级同步整流器(sr)mosfet。smps的输出电压由电阻rfb1和rfb2设定。由tea1762t引脚optoreg和引脚optoprot驱动的光耦合器opt1和opt2,通过光耦晶体管反馈到初级侧控制器,提供输出电压调整和过电
概述 tea1761t和tea1762t是恩智浦(nxp)半导体公司采用soi(silicon on insulator, soi)工艺制作的开关电源次级同步整流器(sr)控制器ic。两种控制器主要是在不连续电流模式(dcm)和准谐振(qr)反激式变换器次级上用于同步整流控制。其共同特点如下所述: (1)一般特性 ①组合了同步整流和初级反馈控制功能; ②电源电压范围宽,达8.6~38v; ③高度集成仅需很少量的外部元件; ④宽光电耦合器输出电压范围(3.5v至38v); ⑤为电压控制内置2.5v的精密(<1%)电压参考vref; ⑥为mosfet提供10v的高驱动电压。 (2)绿色特征 ①非常小的电流消耗; ②从无载到满载具有高系统效率。 (3)保护特征 ①欠电压保护; ②门限为150℃(带12℃滞后)的过温度保护。 tea1761t采用so8封装,tea1762t则采用so14封装。与tea1761t比较,tea1762t多出一个光电耦合器驱动输出引脚和一个保护输入引脚及一个参考电压输出引脚。
一、关于TEA1762T的一般介绍
TEA1762T采用SO14封装,引脚配置如图1所示。图2为其芯片电路组成框图。