当前位置:维库电子市场网>IC>toshiba 更新时间:2024-04-24 11:39:05

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toshiba中文资料

  • TOSHIBA 推出整体数字电视平台CUDP

    toshiba美国电子器件公司(taec)发布了独特平台的解决方案,可用于全球数字电视(dtv)市场。toshiba可定制通用dtv平台(cudp)是一个用于高清dtv的完整解决方案,包括了toshiba现成的硬件和产品软件,可以被本地化从而支持不同的广播标准和市场需求。taec现可以共获得toshiba cudp使tv制造商快速将新款高清dtv应用到市场中,但花费最少的资源却仍可以满足客户的特殊需求 cudp目前可以为北美市场的客户提供,有tc90413xbg hdtv片上系统(soc),该芯片是toshiba最新的基于atsc/ntsc制式优化的器件,作为平台的支柱提供服务。toshiba cudp其它地区的目标客户的实现随后将会提供。 cudp考虑了调谐,解调,解码和atsc、ntsc以及clear qam广播。此外,通过合成、s-视频、分解、d-sub或hdmi,该平台可以处理和显示模拟或数字视频。cudp支持wxga和1080p高清lcd tv。 尽管这是一个高度集成平台级的解决方案,cudp仍然可以定制很多特性,如用户接口,程序信息,lcd面板,遥控功能以及很多其它功能,

  • Toshiba将自己生产目前外包的CMOS摄像头模块

    toshiba宣布,将自己生产目前外包的cmos摄像头模块,从而加强他们在cmos图像传感器业务中的竞争力。toshiba集团的iwate toshiba electronics将在2008年2月开始大量生产新产品。首先他们将开始生产toshiba最新的dynastron系列cmos图像传感器,一种超小型cscm(chip scale camera module)并且会成为第一个用tcv(through chip via)技术制造的摄像头模块。该模块将会于2007年10月2日在日本ceatec makuhari messe,toshiba的8c12展示。 由于带摄像头的移动消费类产品,尤其是手机变得日益紧凑,对于超小型高图像质量的cmos摄像头模块的需求不断增加。 新的cscm微型摄像头模块将会成为第一个使用tcv技术的产品,该技术通过直接将元件焊接到一个晶片上减小了引线焊接底层空间,并通过电路板上的过孔贯穿电极,通过底层焊接球使其更可靠。新产品同样降低了象素大小,比相同的传感器模块尺寸小64%。 不会受回流影响,当摄像头焊接到移动消费产品生产商的电路板上时,极大的降低了工艺要求。

  • Toshiba发布专用于3G图像的LSI TC35711XB...

    toshiba公司日前发布了一个专用于3g图像的lsi,它结合了以前手机游戏不可见的真实性与刺激感。 新的lsi,“tc35711xbg”每秒可以生成1亿多边形,这个性能远远超过了目前的手持游戏控制台。新图像lsi的样品将于10月份提供。 500){this.width=500}" border=0> 如今的手机集成了较大的,较高分辨率的显示器,高规格的基带处理器和日益高级的系统lsi,能够支持复杂的软件和游戏。然而,图像lsi的性能阻碍了整个系统的发展,目前的芯片每秒仅仅能生成几百万的多边形。这一低水平的性能抑制了复杂的手机游戏的发展,只能通过增加面向其他平台的端口开发手机游戏。 toshiba的新芯片集成了一个全新的开发的3d图像处理器,与现有产品相比,可以达到38倍的性能。这一极端先进的技术为手机上进一步开发应用软件开辟了一条道路。新的芯片同样与可编程着色器兼容,并且第一次将真实着色与反射的能力用到手机上。 除了3d图像处理器,新的lsi还集成了toshiba的处理声音的媒体嵌入式处理器(mep),一个主处理器,一个用于宽频显示器的wvgalcd

  • 大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系统中的应用

    否万次,而nor的擦写次数是十万次。 此外,nand的实际应用方式要比nor复杂得多。nor可以直接使用,并在上面直接运行代码。而nand需要i/o接口,因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对nand flash都有支持,如风河(拥有vxworks系统)、微软(拥有wince系统)等公司都采用了trueffs驱动,此外,linux内核也提供了对nand flash的支持。 2 大容量存储器tc58dcg02a1ft00 2.1 引脚排列和功能 tc58dvg02a 1ft00是toshiba公司生产的1gbit(128m×8bit)cmos nand e2prom,它的工作电压为3.3v,内部存储结构为528 bytes×32pages×8192blocks。而大小为528字节,块大小为(16k+512)字节。其管脚排列如图1所示。各主要引脚如下: i/o1~i/o8:8个i/o口; ce:片选信号,低电平有效; we:写使能信号,低电平有效; re:读使能信号,低电平有效; cle:命令使能信号; ale:地址使能信号; wp:写保护信号,低电平有效; ry/by

  • Toshiba推出业界最大嵌入式NAND闪存存储器模块

    toshiba近日推出128吉比特(gb)嵌入式nand闪存存储器模块,是业界最高容量。该模块与最新e-mmc?;3标准完全兼容,设计应用于包括智能手机、平板pc和视频数码相机在内的各种数字电子消费产品。样品供货将在9月份,批量生产将在2010年第四季度(10月到12月) 新的128gb嵌入式器件在17 x 22 x 1.4mm5的小型封装内集成了16个采用toshiba的尖端工艺技术的64gb (相当于8gb) nand芯片以及1个专用控制器。toshiba是首个成功结合16个64gbit nand芯片的公司,并采用先进的芯片减薄和压层技术,使得单个芯片的厚度只有30微米厚。 toshiba提供完整的单个封装的嵌入式nand闪存存储器,密度为2gb~128gb。器件集成了控制器以管理nand应用的基本控制功能,与jedec e-mmc?;型号4.4和其新性能兼容。64gb芯片的新样品还将在8月供货。 来源:zhengxiaoxiao

  • Toshiba推出业界最大嵌入式NAND闪存存储器模块

      Toshiba近日推出128吉比特(GB)嵌入式NAND闪存存储器模块,是业界最高容量。该模块与最新e-MMC?;3标准完全兼容,设计应用于包括智能手机、平板PC和视频数码相机在内的各种数字电子消费产品。样品供货将在9月份,批量生产将在2010年第四季度...

  • Toshiba推出低导通电阻快速开关30V MOSFET

      Toshiba美国电子元器件公司(TAEC)推出6器件采用TSON先进封装的30V MOSFET系列。这些新器件用于同步DC-DC转换器中,如移动和台式电脑,服务器,游戏机和其它电子器件中,需要输入电压转换的子系统,如处理器,存储器和其它负载点器件。由...

  • Toshiba推出具有ESD保护和EMI滤波的二极管

      东芝美国电子元器件公司(TAEC)最新推出具有静电放电(ESD)保护和电磁干扰(EMI)滤波的二极管。东芝DF3S6.8ECT保护二极管提供数字和移动器件如:手机,PDA,笔记本电脑,数码相机,以及具有EMI和ESD保护的GPS设备,这些静电放电能源通过...

  • Toshiba推出MTBF为100K小时LED背景光系统的LCD面板

      东芝美国电子元件公司(TAEC)推出新的色彩有源矩阵、薄膜晶体管(TFT)LCD模块,用于具有长寿命、发光二极管(LED)背景光系统的工业应用中,平均故障间隔时间(MTBF)为100,000小时(大约11.4年)。由东芝移动显示器有限...

  • Toshiba 推出3.3mmx3.3mm TSON封装的低导通电阻大电流MOSFET

      东芝美国电子元器件公司(TAEC)近日推出Toshiba公司的TSON Advance MOSFET封装,采用薄的、紧凑型3.3mmx3.3mmx0.9mm封装, 提供高功率。相对于广泛使用5.0mm x 6.0mm SOP-8封装,东芝公司开发的TSON Advance封装减小64%的安装面积,同时实...

  • Toshiba开发出首个用于20nm节点EUV光刻的分子光刻胶技术

    东芝(toshiba corporation)日前宣布,已经开发出未来euv光刻所必需的高分辨率的光刻胶,并采用了全球首个20nm工艺技术对其可行性进行了验证. 研究成果将在11月19日举行的第22届国际微处理器和纳米技术会议上披露. 随着半导体工艺技术的发展,线条密度变得更高,半导体常用的传统的聚合物光刻胶遇到了障碍.光刻技术发展到20nm为止,采用目前的arf激光曝光工具和聚合物光刻胶在获得所需的分辨率上愈加困难.东芝的解决方案是采用euv光刻和基于低分子材料的光刻胶. toshiba corporation (tokyo: 6502) today announced that it has developed a high resolution photoresist (photo-sensitive film) essential for future application of euv (extreme ultraviolet) lithography in semiconductor fabrication, and proved its viab

  • 东芝再投资2000亿日圆增产flash 1.5倍

    《日本经济新闻》20日报导,电子大厂toshiba corp.(东芝)计划大举投资快闪内存(flash )产能,在2007年度将12英寸晶圆产量提高到15万片,较今年9月预定达成的目标攀升150%。 先前toshiba已与合作伙伴sandisk预定在2006年度退出之前投资2700亿日圆,这次计划再投资约2000亿日圆,可能会对掌控全球50%快闪内存市场的samsung electronics co.(三星电子)形成强力挑战。 toshiba与sandisk和三重县合资成立一座12英寸晶圆厂,自今年7月投产,每月产能达2500万片,并在9月升至1万片。加上另一座生产8英寸晶圆的产能,合计产量达到一年15万片。 每一12英寸晶圆约可生产500颗flash,toshiba希望将每片晶圆可生产的内存数量提升,借此削减每年生产成本35-40%。 报导指出,toshiba也会将制程由当前的90纳米升级至70纳米,2006年夏季前再升至55纳米,为全球最细微。预估在2006年度退出前,55纳米产品占整体flash 产量可达1/3。 toshiba估计,

  • LPL与Toshiba合资设液晶面板厂欲扩大欧洲市占率

    平面显示屏幕制造大厂lg飞利浦(lpl),将把其在波兰制造厂的19.9%股权,以4600万美元价格出售给东芝(toshiba),并且共同出资50亿美元,在波兰生产液晶显示面板。 这笔新交易正反映了,亚太液晶电视制造大厂,正藉由日益成长的中东欧市场扩张液晶电视市占率。 这个计划是在lpl财务报告出现连续两季的亏损之后所宣布的。lpl亏损的主因,在于液晶面板价格下降、市场对削价竞争价格战所呈现出不确定心理预期这两点。 toshiba一直使用由lpl所生产的液晶显示面板产品,但藉由资本共同合作生产的计划,对双方而言都是首次。lpl与toshiba所建立的策略联盟,预估将有效舒缓lpl的亏损压力。这个策略联盟将可扩张lpl的消费群,并有助于确保toshiba液晶屏幕面板产品的稳定供货状况,藉此toshiba可扩大在欧洲平面电视市场的业务。 lpl与toshiba正在波兰西南部的wroclaw市,设立一个年产量为300万块液晶面板的工厂,并且即将在2007年夏天完工投产,主要生产40英吋以上大屏幕液晶电视机。与其它平面显示屏幕制造厂商一样,lpl与toshiba正以设立生产基

  • Toshiba透露40nm制程准备就绪

    据ee times网站报道,日本toshiba日前宣布已准备好推出45/40nm逻辑工艺技术,然而toshiba的首要客户sony可能还没为该制程做好准备。 toshiba公司副总裁masakazu kakumu表示,40nm高性能逻辑工艺已在试水线上试产。 toshiba暗示,40nm高性能制程已经准备就绪,低功耗版制程将于明年年中推出。该制程第一个客户将是sony,但sony似乎还未能在设计上做好准备。toshiba正在为sony代工45nm ps3图像处理引擎。 toshiba拥有两条300mm逻辑芯片晶圆制造工厂,分别采用65nm和40nm技术。两家工厂分别位于日本nagasaki和oita。去年,sony将300mm生产线出售给了toshiba。 欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dzsc.com)

  • 常见的光电耦合器参数

    4-pin phototransistor output; gaas input 型号(规格) 厂牌 ctr @10 ma if (%) bvceo(v)min bvcbo(v)max vce (sat)(v)max ton/ toff(us)max visoac[rms] min max tlp521-1 toshiba 50 600 55 7 0.4 2/3 2.5kv tlp521-2 toshiba 50 600 55 7 0.4 2/3 2.5kv tlp521-4 toshiba 100 600 55 7 0.4 2/3 2.5kv tlp621-1 toshiba 50 600 55 7 0.4 2/3 10kv tlp721 toshiba 50 600 55 7 0.4 3/3 4.0kv ps2501 nec 80 600 80 7 0.3 3/5 5.0kv ps2561

  • 手工制作的MP3播放器电路及资料

    ---------- -------------- --- ---------- ---------------------------- 1 u1 at90s8515 1 atmel avr micro-controller 2 u2 pst600j 1 mitsumi reset generator 3 u3 mas3507d 1 micronas mp3 decoder 4 u4 dac3550a 1 micronas audio d/a converter 5 q1 2sa1300 1 toshiba low saturation, high hfe ---- ----------- -------------- --- ---------- ---------------------------- 6 q2,q3,q4 rn1205 3 toshiba with built-in resisters 7 d1 1gwj42 1 toshiba typical shottky diode 8 d2,d3,d4 1ss319 3 toshiba typical swiching diode 9

  • TLP114A高速光耦、电表专用光耦

    tlp114a 品牌:toshiba tlp114a(p114a)高速光耦toshiba小型扁平耦合器tlp114a(p114a)是一个小外型耦合器,适用于贴片安装。tlp114a(p114a)包含一个高输出功率的砷化镓铝发光二极管,该二极管光耦合到一个高速单片光电晶体管探测器。tlp114a, toshiba 光电耦合器, gaalas ired & photo-ic, cplr 1mbps ctr=20%mintlp114a是替代tlp114的最新型号,功能兼容,但性能更佳。tlp114a(p114a)参数隔离电压:3750vrms(最小) 转换速率:tphl=0.8μs,tplh=0.8μs(最大)(rl=1.9kω) 兼容ttl ul 认证:ul1577,file no.e67349tlp114a外型封装类型:mfsop (mini flat sop)引脚:5 tlp114a(p114a)包装规格类型:tape&reel(卷带装)每盘:3,000 pcs 了解更多光耦请登录>>>>>>>>> http://www.tos

  • 基于单片机的线阵CCD实时检测系统的开发

    器件互换性较强。既可选用普通的at89c51进行一定的端口扩展接收fc和bin_out,也可选用中断能力较强的soc芯片c8051fxx系列等。整个检测系统具有良好的柔性,最终电路体积可控制在手掌心大小之内。 图2 3 信号时序及软件设计 由于硬件设计时考虑用软件产生ccd驱动信号,这样软件设计的最大难点为既要满足ccd芯片的驱动信号要求又要完成检测信息的完整表述。综合比较各种方法后得出了整个软件设计思路如下: 驱动描述:nec公司的线阵μpd3575d所需驱动信号与toshiba公司传统的tcd系列略有差异,具体驱动信号为:时钟φ10、转移脉冲φtg、复位时钟φro和采样保持时钟φsho,时序关系如图3所示。 μpd3575d为双沟道线阵ccd,它有两列525位的ccd移位寄存器,分列在像敏阵列的两边,在一个积分的φtg周期中至少有525个φ10脉冲:另外考虑到一些暗信号和空驱动.本系统开发中取φ10脉冲宽度约为10μs、φtg积分时间为12ms。 单片机驱动主要是通过程序编程控制输出驱动的时序信号,可以通过修改程序方便地修改输出时序,单片机是靠指令产生i/

  • 300kHz600WZVT--PWM boost变换器

    相关元件pdf下载:irfp350 采用如图所示的功率级电路,用zvt--pwm boost变换器可设计开关频率为300khz、输出功率为600w、输出电压为300v的开关稳压电源。其输入电压为150~200v。 ls是饱和电抗器,用于消除lr和vt1输出电容之间的振铃,采用东芝尖峰抑制器(toshiba spike killer)sal0×6×4.5磁心,绕5匝。用快恢复二极管vd2阻止vtl本体二极管导通。假如没有二极管,会导通某些电流提供lr和vtl输出电容之间的谐振。这样当 vtl关断时,将承受反向恢复问题。 应当指出,辅助开关的电流额定值选择比主开关小很多。这里辅助开关采用irf730,(400v、5.5a、75w),主开关采用irfp350(400v、16a、150w)。该电路在输入电压和负载范围内都工作在零电压开关,在满负载和最高输入电压下的最大效率达97%,而且噪音很低,实验波形和理论波形相一致。

  • 基于FPGA的线阵CCD驱动器设计

    泛的应用。由于ccd的转换效率、信噪比等光电特性只有在合适的时序驱动下才能达到设计所规定的最佳值,输出稳定可靠的信号,因此,驱动电路的设计也就成为其应用中的关键问题之一。不同厂家、不同型号ccd器件的驱动时序各不相同,使ccd的驱动电路很难规范化和产品化。笔者设计的基于fpga的驱动电路是可再编程的,如果要改变驱动电路的时序,增加或减少某些功能,只需对器件重新编程,在不改变任何硬件的情况下可实现驱动电路的更新换代。 2 ccd工作参数和时序分析 根据工程项目的技术要求,本系统选用日本toshiba公司的tcdl208ap型电路作为传感器。该器件具有优良的光电特性,有2 160个像元,其驱动信号的时序如图l所示。 由tcdl208ap的时序图可以看出,tcdl208ap采用二相驱动脉冲工作,时序脉冲驱动电路提供4路工作脉冲,即光积分脉冲sh,电荷转移脉冲φ1、φ2,输出复位脉冲rs。系统提供的主时钟频率clk为4 mhz,设定数据输出频率为1 mhz。tcdl208ap的典型最佳工作频率为l mhz,该器件具有2160位有效像元,正常工作时要有52个虚设单元输出(dummy 0u

  • 一种基于高速超微型单片机的CCD驱动电路设计

    动信号,硬件简单、调试方便、可靠性好,而且可以得到较高的驱动频率。同样也可在线调整驱动频率。电路设计完成以后,如果想更改驱动时序,只需将器件内部逻辑重新编程即可。以上4类方法中目前常用的是微处理器驱动方法(通常又称为“软件驱动”法)和可编程逻辑器件驱动方法(又称“硬件驱动”法)。由于在ccd应用系统中,一般都要用到微处理器,所以若采用“软件驱动”法,则无需增加硬件,在电路结构上最为简单,系统成本也最低,因此,只要能克服其驱动频率低、资源浪费多、时序不均匀等缺点,无疑是一种理想的驱动方法。本文结合toshiba公司的tcdl206线阵ccd,介绍如何利用8051f.html">c8051f300.html">8051f.html">c8051f300来产生其要求的驱动时序。2 硬件设计如图1所示,虚线框内的电路构成ccd驱动处理板。安装在ccd相机内部。系统处理器采用美国silabs公司推出的超微型高速8位单片机8051f.html">c8051f300.html">8051f.html">c8051f300,ccd采用toshiba公司的高灵敏度线阵ccd图像传感器芯片tcdl206,双电压供电的总

  • 请推荐VFD的控制芯片

    试一下toshiba的mcu试一下toshiba的mcu tmp86ch72fg,不过要编程,而且我不知道价格。

  • 有一90S8515+HD61202(128X64)问题!

    字符lcd驱动(及其兼容型号)两种i/o方式接口:六线制,二线制(使用一块74ls174)。 强烈推荐!!! 语言: avrgcc 硬件: 普通字符lcd,16*2(使用hd44780或ks兼容芯片为液晶主控芯片) lm213 说明: lm213xb - lcd驱动 语言: avrgcc 硬件: lm213xb - lcd,256*64点阵(使用 hd61830 芯片为液晶主孔芯片)avr 8515 @ 11.059 mhz t6963_base 说明: toshiba lcd t6963c 基本驱动 语言: avrgcc 硬件: toshiba_lcd_t6963c(使用 t6963c 芯片为液晶主孔芯片)at90s8515 @ 3.6864 mhz t6963_graphics 说明: toshiba lcd t6963c 图形驱动 语言: avrgcc 硬件: toshiba_lcd_t6963c(使用 t6963c 芯片为液晶主孔芯片)atmega103

  • philips和同立功的翻译的DATASHEET是全世界最烂的!

    人家的翻译不容易,也辛苦啊。确切的说应该是philip的文档实在是写得太烂,写得没得一点条理。at、pic的和freescale的文档写得都不错。st、toshiba的一般,还凑合。我一般对于datasheet,只要是用于开发,基本只会看英文的。因为我相信只要翻译没有做过开发,翻出来的只能是形而不是意。不知道zlg的翻译,又有几个做过开发?看见他的招聘内容,翻译好像招的都是海归啊?

  • 各位大虾帮帮忙啦,找TA7673的资料

    各位大虾帮帮忙啦,找ta7673的资料toshiba的ta7673是一非常之古老的vhf频段射频调制器,我再网上找不到它的datasheet,那位大虾有,给我一份,谢谢啦!junkuili@sina.com

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