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功率场效应晶体管MOSFET
用可以在关断所驱动的管子时提供一个负压，从而加速了功率管的关断，且有较高的抗干扰能力。但该电路存在的一个较大缺点是输出电压的幅值会随着占空比的变化而变化。当d较小时，负向电压小，该电路的抗干扰性变差，且正向电压较高，应该注意使其幅值不超过mosfet栅极的允许电压。当d大于0.5时驱动电压正向电压小于其负向电压，此时应该注意使其负电压值不超过moafet栅极允许电压。所以该电路比较适用于占空比固定或占空比变化范围不大以及占空比小于0.5的场合。（3）集成芯片uc3724/3725构成的驱动电路电路构成如图11所示。其中uc3724用来产生高频载波信号，载波频率由电容ct和电阻rt决定。一般载波频率小于600khz，4脚和6脚两端产生高频调制波，经高频小磁环变压器隔离后送到uc3725芯片7、8两脚经uc3725进行调制后得到驱动信号，uc3725内部有一肖特基整流桥同时将7、8脚的高频调制波整流成一直流电压供驱动所需功率。一般来说载波频率越高驱动延时越小，但太高抗干扰变差；隔离变压器磁化电感越大磁化电流越小，uc3724发热越少，但太大使匝数增多导致寄

功率场效应晶体管MOSFET
即为单电源工作。隔直电容c的作用可以在关断所驱动的管子时提供一个负压，从而加速了功率管的关断，且有较高的抗干扰能力。但该电路存在的一个较大缺点是输出电压的幅值会随着占空比的变化而变化。当d较小时，负向电压小，该电路的抗干扰性变差，且正向电压较高，应该注意使其幅值不超过mosfet栅极的允许电压。当d大于0.5时驱动电压正向电压小于其负向电压，此时应该注意使其负电压值不超过moafet栅极允许电压。所以该电路比较适用于占空比固定或占空比变化范围不大以及占空比小于0.5的场合。（3）集成芯片uc3724/3725构成的驱动电路电路构成如图11所示。其中uc3724用来产生高频载波信号，载波频率由电容ct和电阻rt决定。一般载波频率小于600khz，4脚和6脚两端产生高频调制波，经高频小磁环变压器隔离后送到uc3725芯片7、8两脚经uc3725进行调制后得到驱动信号，uc3725内部有一肖特基整流桥同时将7、8脚的高频调制波整流成一直流电压供驱动所需功率。一般来说载波频率越高驱动延时越小，但太高抗干扰变差；隔离变压器磁化电感越大磁化电流越小，uc3724发热越少，但太大使匝数增多导致寄生参

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