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  • 单片机系统中法拉电容的数据保护研究

    具体介绍法拉电容在单片机系统的ram数据保护中的应用，为嵌入式系统中ram数据保护提供一种可行的参考方法。 某一采用ut6264c-70ll作为ram的单片机系统，在系统掉电后，要求ram的数据后备时间达到5天。 1 硬件设计 采用法拉电容作为ram后备电源，法拉电容后备时间的典型计算公式为： 式中：c(f)为法拉电容的标称容量，umin(v)为电路中的正常工作电压，umin(v)为电路能工作的最低电压，t(s)为电路中后备时间，i(a)为电路的负载电流。 ut6264csc-70ll的典型数据保持电流为1 μa，工作电压为5 v，数据保持所需电压最低为2 v。取0.1 f的法拉电容，计算得到ram的数据后备时间为3．35天。而实际上，当ram的电源电压降低时，其数据保持电流将减小，因而后备时间可以延长。 另外，电源出现波动时，ram的片选引脚、写使能引脚及数据线端口也容易引入干扰或不正常的控制时序，从而破坏ram中的数据。因此，需要通过电路设计，确保电源不正常时读写控制端口时序可控，从而增强ram数据的安全。电路原理图如图1所示。 当电源正常时，5 v电

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UT62256PC-70LL UT62256 USS820 USIM USFB13L-RTK/P USD700 USBULC6-2M6 USB-TO-UART USBSPYDER08 USBN9604-28MX

UTC2030 UTC34018 UTC34063 UTCLM386 UZ1086 UZ2400 UZZ9000 UZZ9001 V010 V06C

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