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  • BiCMOS 模拟工艺技术

    美国国家半导体公司的专有 bicmos 模拟工艺技术可以大幅提高该公司的新一代高精度、低功率、低电压运算放大器的性能,为低功耗、低噪音的放大器创立一个全新的业界标准。今后便携式电子产品、医疗设备、工业系统以及汽车电子系统等均可充分利用新工艺的这些优点。 美国国家半导体特别为供电电压介于 0.9v 至 12v 之间的运算放大器开发 vip50 工艺技术 (vip 是垂直综合 pnp 工艺技术的简称)。利用 vip50 工艺制造的首六款产品无论在电源使用效率、噪音水平及准确度都比美国国家半导体的旧型号集成电路及其他公司的竞争产品优胜。系统设计工程师可以利用这些更先进的技术开发性能更高的燃料喷射与传送系统以及医疗设备与诊断工具。以 12 mhz 单位增益带宽的 lmv651 放大器为例来说,这款放大器比采用 sot 及 sc70 封装的主要竞争产品节省多达 90% 的用电。 美国国家半导体信号路径产品部高级副总裁 suneil parulekar 表示:「由于美国国家半导体的创新工艺技术有助于降低放大器的功耗,缩小封装体积及提高其准确度,因此我们的客户可以利用美国国家半导体这系

  • 美国国家半导体推出 6 款采用全新先进 BiCMOS 工艺技术制造的高精度及低电压放大器

    采用模拟 vip50 工艺技术制造的全新芯片可以大幅提高便携式电子产品及工业系统的精确度及电源使用效率 美国国家半导体公司 (national semiconductor corporation) (美国纽约证券交易所上市代号:nsm) 采用该公司专有的全新 vip50 工艺技术成功开发 6 款无论在准确度、功耗及电压噪音都有大幅改善的运算放大器,预计这些新芯片可以满足工业应用、医疗设备及汽车电子系统等产品市场的需求。这几款芯片除了在上述几方面有大幅改进之外,所采用的封装也极为小巧,因此也很适合便携式电子产品采用。美国国家半导体在另一份相关的新闻发布中详细介绍这种 vip50 工艺的特色及技术规格。 美国国家半导体是低功率、低电压放大器的领导者,该公司推出 4 款型号分别为 lmv651、lmv791、lpv511 及 lpv7215 的全新放大器,其特色是增益带宽积达到世界的先进水平。以 12 mhz 单位增益带宽的 lmv651 放大器为例来说,这款放大器比采用 sot 及 sc70 封装的主要竞争产品节省多达 90% 的用电。其他的产品也各有自己的优点,其中包括低至

  • 基于满足更小尺寸需求的制程技术

    随着便携式电子产品变得越来越小、越来越轻薄,制程技术也不断创新。本文将介绍的用于智能卡的fcos封装、vip50工艺和芯片级封装(csp)不但满足了更小的元器件尺寸需求,而且能够实现更好的产品性能。 能满足第三代智能卡尺寸要求的fcos封装 英飞凌公司与德国智能卡制造商giesecke & devrient推出的用于智能卡的fcos封装可满足新型第三代智能卡(uicc)对尺寸的要求。fcos模块的厚度不大于500μm,整个模块的金触点位于芯片卡的左侧。 fcos封装(上)与金线焊接(下)的对比 fcos模块中芯片的功能衬面直接通过导电触点与模块连接,不再需要传统的金丝和合成树脂封装。由于封装中省去了金属线,大大节约了模块空间,一方面可以在模块尺寸不变的情况下安置更大的芯片,使芯片卡具有更多的功能;另一方面也可以使芯片卡的模块尺寸更小。此外,与传统的金线焊接(bonding)技术相比,采用fcos的芯片卡具有更强的机械稳定性和光学视觉效果、更小和更薄的模块尺寸、更强的防腐性和韧性,并且采用了非卤素材料,符合rohs指令。 第三代智能卡的尺

  • NS发布高性能运算放大器产品群

    运算放大器“lmv651”中增益和相位与输入频率之间的关系 运算放大器“lmp7711”中噪音与输入频率之间的关系。将噪音控制到了数百hz这一低频率区。 双极cmos工艺技术“vip50”中晶体管结构概要。左为npn型晶体管,右为nmos晶体管。 美国国家半导体公司(national semiconductor corp.,ns)日前发布了6种运算放大器和比较器,声称其精度、耗电量及噪音等特性得到了大幅改善。这是运用最新开发的模拟ic工艺技术“vip50”的第一个产品群。准备向医疗设备、测量仪器、通信设备和传感器等以性能为重的应用领域推广。该公司已经开始量产上述6种产品,今后准备继续扩充应用vip50技术的高性能模拟ic产品(发布资料)。 此次推出的运算放大器“lmv651”,同时实现了增大增益带宽和降低耗电量的目标。标准增益带宽为12mhz,耗电电流为115μa。与增益带宽相同的现有产品相比,耗电电流约减少90%;与耗电电流相同的现有产品相比,增益带宽约提高至10倍。1/f噪音也降低到了17nv/√hz。主要面向温度测定电路与有源滤波器电路等领域。

  • NS九款高精度低电压放大器

    国家半导体公司 (national semiconductor) 宣布推出九款采用专有的 vip50 bicmos 工艺技术制造的单组装、双组装及四组装运算放大器。这九款产品不但在准确度、功耗及电压噪音等方面有大幅的改善,符合工业设备、医疗仪器及汽车电子系统的严格要求,而且体积也极为小巧,适用于各种便携式电子产品。美国国家半导体早于 2005 年 9 月便已率先推出六款采用这种工艺技术制造的放大器产品。 lpv531、lmv654、lmv792、lmv796 及 lmv797 等芯片是美国国家半导体最新推出的五款低功率、低电压放大器。这五款产品的增益带宽积都达到世界先进水平。以 12mhz 单位增益带宽的 lmv654 四组装运算放大器为例来说,其耗电量比主要竞争产品少 50%。lmv792 系列芯片适用于 -40°c 至 125°c 的广阔温度范围,并保证这个范围内的噪音低至只有 5.8nv/sqrt hz,而输入偏置电流则低至只有 100fa。此外,lpv531 微功率运算放大器设有可调节的增益带宽控制,而且只需利用一个外置电阻便可控制功率调节功能

  • NS推出专有的VIP50 BiCMOS工艺的噪声高精度放大器系列

    美国国家半导体公司宣布推出两款全新的高精度运算放大器。其特点是具有业界的输入电压噪声和最高的准确度,因此适用于以低频及低供电电压操作的系统,例如工业和科研重量计、压力传感器以及其他低电阻传感器。

      作为美国国家半导体LMP&re...

  • 美国国家半导体推出 6 款采用全新先进 BiCMOS 工艺技术制造的高精度及低电压放大器

    采用模拟 vip50 工艺技术制造的全新芯片可以大幅提高便携式电子产品及工业系统的精确度及电源使用效率 二零零五年九月二十七日 -- 中国讯 -- 美国国家半导体公司 (national semiconductor corporation) (美国纽约证券交易所上市代号:nsm) 采用该公司专有的全新 vip50 工艺技术成功开发 6 款无论在准确度、功耗及电压噪音都有大幅改善的运算放大器,预计这些新芯片可以满足工业应用、医疗设备及汽车电子系统等产品市场的需求。这几款芯片除了在上述几方面有大幅改进之外,所采用的封装也极为小巧,因此也很适合便携式电子产品采用。美国国家半导体在另一份相关的新闻发布中详细介绍这种 vip50 工艺的特色及技术规格。 美国国家半导体是低功率、低电压放大器的领导者,该公司推出 4 款型号分别为 lmv651、lmv791、lpv511 及 lpv7215 的全新放大器,其特色是增益带宽积达到世界的先进水平。以 12 mhz 单位增益带宽的 lmv651 放大器为例来说,这款放大器比采用 sot 及 sc70 封装的主要竞争产品节省多达 90% 的用

  • 美国国家半导体推出具高带宽/功率比、低偏移、高准确度等优点的放大器系列

    只有1.15ma,而lmp7707芯片的增益带宽只有14mhz,但静态电流则低至只有0.715ma。由于这两款芯片的带宽/功率比都极高,因此可将便携式电子产品的能源效率提高至前所未有的高水平,有助于进一步延长电池寿命。此外,lmp7717和lmp7718放大器的准确度很高,足以支持16位或以上的数据采集系统。在设计高分辨度数据采集系统时,设计者一般都根据模拟/数字转换器的满标度输入确定传感器的输出,从而确保系统的灵敏度达到最优化。 这几款全新的lmp高精度运算放大器都采用美国国家半导体专有的vip50 bicmos 工艺技术制造。vip50工艺技术的采用让美国国家半导体可以设计出市场上更高性能的高能效低功率高精度运算放大器。 lmp7717/18高精度运算放大器的特色 lmp7717单通道和lmp7718双通道放大器同属低噪声、cmos输入运算放大器,输入电压噪声仅为5.8nv/sqrthz,在10倍或以上的增益操作下仍可保持稳定。lmp7717和lmp7718放大器适用于1.8v至5.5v的供电电压,而且可以利用一个或两个电源操作。这两款高精度度放大器的输入偏置电流只有100fa,

  • NS推出具最低偏移电压漂移温度系数的多款微功率高精度放大器

    温度范围。这三款运算放大器的功耗极低,单位通道功耗甚至不超过16uw,可供使用的带宽达130khz,是美国国家半导体高能源效率powerwise系列产品的佼佼者。 理想的测量仪表对信号准确性的要求极高,换言之,传感器的信号在放大的过程中绝对不能出现任何错误。美国国家半导体特别针对此类应用提供一个理想的模拟信号路径解决方案即将lmp 223x放大器芯片与12位adc121s021单通道模拟/数字转换器搭配使用。 这几款全新的lmp® 高精度运算放大器都采用美国国家半导体专有的vip50 bicmos 工艺技术制造。由于美国国家半导体拥有先进的vip50工艺技术,因此可以设计出性能更好、能效更高的低功率高精度运算放大器。 lmp2231/32/34高精度运算放大器的特色 lmp2231单通道微功率高精度放大器可在1.6v至5.5v的供电电压范围内操作,静态功耗只有16uw。这款芯片的最高偏移电压不超过150uv,最高的偏移电压漂移温度系数也只有0.4uv/c,偏置电流只有+/-20fa。由于供电电压的轨到轨输出摆幅高达 15mv,因此可以扩大系统的动态范围。此外,l

  • 美国国半推出业界最低噪声高精度放大器系列(图)

    专有的vip50 bicmos工艺令输入电压噪声低至 2.9nv/sqrthz中频噪声转角仅3hz。 美国国家半导体公司 (national semiconductor corporation) 近日宣布推出两款全新的高精度运算放大器。其特点是具有业界最低的输入电压噪声和最高的准确度,因此适用于以低频及低供电电压操作的系统,例如工业和科研重量计、压力传感器以及其他低电阻传感器。 作为美国国家半导体lmp®高精度放大器系列中的新成员,最新推出的lmp7731单组装与lmp7732双组装高精度运算放大器的输入电压噪声只有2.9nv/sqrthz,中频噪声转角仅为3hz,而0hz至10hz的峰峰值噪声电压也只有78nvpp,因此可确保所调节的信号准确无误,并通过低频(接近直流电)操作传感系统将失真减至最少。这两款全新的 lmp高精度运算放大器都采用美国国家半导体专有的vip50 bicmos 工艺技术制造。基于vip50工艺技术,美国国家半导体得以设计出更高性能的高精度运算放大器以及市场上能耗效率最高的低功率放大器。 此外,lmp7731及lmp7732放大器的精准特性可

  • 美国国家半导体推出业界最低噪声高精度放大器系列

    ,因此适用于以低频及低供电电压操作的系统,例如工业和科研重量计、压力传感器以及其他低电阻传感器。 作为美国国家半导体lmp? 高精度放大器系列中的新成员,最新推出的lmp7731单组装与lmp7732双组装高精度运算放大器的输入电压噪声只有2.9nv/sqrthz,中频噪声转角仅为3hz,而0hz至10hz的峰峰值噪声电压也只有78nvpp,因此可确保所调节的信号准确无误,并通过低频(接近直流电)操作传感系统将失真减至最少。这两款全新的lmp高精度运算放大器都采用美国国家半导体专有的vip50 bicmos 工艺技术制造。基于vip50工艺技术,美国国家半导体得以设计出更高性能的高精度运算放大器以及市场上能耗效率最高的低功率放大器。 此外,lmp7731及lmp7732放大器的精准特性可支持16位或以上的数据采集系统。设计此类高分辨度数据采集系统时,设计工程师通常根据模拟/数字转换器的满标度输入值来确定传感器的输出,从而确保系统可以发挥最高的灵敏度。 lmp7731/32低噪声高精度放大器的特色 单组装的lmp7731及双组装的lmp7732低

  • 两则模拟新闻----有喜有忧还有愁

    rthik表示:“我们从印度技术学院、国家工程学院招聘学生,并对他们进行内部培训。” 由于紧缺情况日益严峻,吸引美国有经验的(印裔)模拟工程师回流也成为一个选择。与印度类似,中国大陆和台湾地区也缺乏足够的模拟人才,shenoy指出。 印度对软件开发的过度重视也拉大了模拟差距。karthik补充说,短期方案是认证课程,但长期策略是与大学合作,改进教学和课程质量,使之更偏重于设计,以克服这些不足。===============================国半推出提高放大器精度和功耗的vip50工艺[日期:2005-9-27] 来源:21ic中国电子网 作者:佚名 [字体:大 中 小] 美国国家半导体公司 (national semiconductor corporation) 今日推出的专有bicmos 模拟工艺技术,可以大幅提高新一代高精度、低功率、低电压运算放大器的性能。 图为国家半导体卡洛斯.桑切斯和胡国佳美国国家半导体特别为供电电压介于 0.9v 至 12v 之间的运算放大器开发 vip50 工艺技术 (vip 是垂直综合 pnp 工艺技术的简称)。利用 vip50 工艺

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