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VN10KE N-Channel Enhancement-Mode MOS Trans... TEMIC VN10KEPDF下载
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历史最低报价：￥8.0000 历史最高报价：￥18.0000 历史平均报价：￥13.2142

型号厂家封装批号数量日期价格
VN10KE VISHAY CAN3 02+ 200 2010/8/1 13:34:41 8.0000/pcs
VN10KE VISHAY CAN3 08+09+ 200 2010/4/2 13:30:24 8.5000/pcs
VN10KE VISHAY 01+ CAN 2007/5/22 0:00:00 10.0000/pcs
VN10KE VISHAY 铁帽CAN 02+ 2007/5/22 0:00:00 11.0000/pcs
VN10KE VISHAY 02+ CAN3 200 2012/8/24 12:51:25 12.0000/pcs
VN10KE SILICONIX SOT-23 11+PBFE 30000 2012/5/19 11:56:50 12.0000/pcs
VN10KE VISHAY 铁帽专家 02+ 2007/5/22 0:00:00 12.0000/pcs
VN10KE MOT CAN3 01+ 339 2012/8/2 15:37:45 13.5000/pcs
VN10KE Vishay CAN3 06+ 200 2010/4/2 11:18:54 15.0000/pcs
VN10KE TO52 96+ 2007/5/30 0:00:00 15.0000/pcs

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相关电路图

制造商:
Vishay
晶体管极性:
N-Channel
汲极/源极击穿电压:
60 V
闸/源击穿电压:
- 0.3 V, 15 V
漏极连续电流:
0.17 A
配置:
Single
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-206AC-3
最小工作温度:
- 55 C
功率耗散:
300 mW
工厂包装数量:
200

电话斩线拾测笨电路图
，巳通过vt7放电。这里检测电路包括对c5充电的半波整流器，这比采用电阻效果要好得多。低阻抗输出采用mosfet(vt8)。由于mosfet在栅-源司接有稳压二极管，因此需要使用较大的栅极电阻。当mosfet进入导通范围时，其内稳压二极管能防止过载。电话线的高电压可能决定所采用元件的额定功率，元件参数不是临界值。为了减小漏电流的影响，高阻值的电阻(超过10mω)应采用多个电阻串联。在该电路中，vt1、vt2采用mpsa92晶体管，vt3~vt7采用mpsa42晶体管，vt8采用vn10ke晶体管。来源:university

VN20-080L-192 VN2222 VN2222L VN2410LG VN64GA VN808 VN896 VNC1L-1A VNH2SP30 VNH2SP30-E

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制造商:

晶体管极性:

汲极/源极击穿电压:

闸/源击穿电压:

漏极连续电流:

配置:

最大工作温度:

安装风格:

封装 / 箱体:

最小工作温度:

功率耗散:

工厂包装数量:

电话斩线拾测笨电路图

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