VRS51L3072
1497
TQFP/2023+
终端可免费供样,支持BOM配单
VRS51L3072
8000
SOIC/2023+
原装现货,支持BOM配单
VRS51L3072
7653
DIP/SOP/-
做自己现货 价格优势 国外渠道 量大香港发货2-3天
VRS51L3072
8000
SOIC/2024+
原装现货,支持BOM配单
VRS51L3072
18000
SOIC/2023+
13%原装
VRS51L3072
19651
SOIC/2023+
13%原装
VRS51L3072
3000
-/2019+
原装 部分现货量大期货
VRS51L3072
10000
QFP64/22+
全新进口原装现货假一赔十
VRS51L3072
20000
TQFP/2023+
13%原装
VRS51L3072
20000
SOIC/21+
-
VRS51L3072
20000
SOIC/22+
奥利腾只做原装正品,实单价优可谈
VRS51L3072
3000
QFP64/2021+
原装原装,一站配齐
非易失性铁电随机存取存储器 (f-ram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出带2kb非易失性f-ram 以8051为基础的微控制器 (mcu) -- vrs51l3072。ramtron将f-ram添加到其快速灵活的versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。 ramtron战略市场拓展经理david lee称:“我们针对需要较低密度f-ram进行实时数据采集和存储的客户,扩展了versa 8051产品系列即推出带2kb f-ram的mcu。vrs51l3072的高性能内核可控制外设及采集数据,而其板载数字信号处理 (dsp) 功能则会处理数据,然后存储在f-ram内。这款产品与我们的8kb f-ram mcu引脚兼容,对于那些需要少于8kb f-ram的应用来说,是一种别具成本效益的替代方案。” f-ram替代flash/eeprom存储非易性数据
非易失性铁电随机存取存储器 (f-ram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出带2kb非易失性f-ram 以8051为基础的微控制器 (mcu) -- vrs51l3072。ramtron将f-ram添加到其快速灵活的versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。 ramtron战略市场拓展经理david lee称:“我们针对需要较低密度f-ram进行实时数据采集和存储的客户,扩展了versa 8051产品系列即推出带2kb f-ram的mcu。vrs51l3072的高性能内核可控制外设及采集数据,而其板载数字信号处理 (dsp) 功能则会处理数据,然后存储在f-ram内。这款产品与我们的8kb f-ram mcu引脚兼容,对于那些需要少于8kb f-ram的应用来说,是一种别具成本效益的替代方案。” f-ram替代flash/eeprom存储非易性数据存储 f-ram能够消除
非易失性铁电随机存取存储器(f-ram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出带2kb非易失性f-ram以8051为基础的微控制器(mcu)-vrs51l3072。ramtron将f-ram添加到其快速灵活的versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。 ramtron战略市场拓展经理david lee称:“我们针对需要较低密度f-ram进行实时数据采集和存储的客户,扩展了versa 8051产品系列即推出带2kb f-ram的mcu。vrs51l3072的高性能内核可控制外设及采集数据,而其板载数字信号处理 (dsp) 功能则会处理数据,然后存储在f-ram内。这款产品与我们的8kb f-ram mcu引脚兼容,对于那些需要少于8kb f-ram的应用来说,是一种别具成本效益的替代方案。” f-ram替代flash/eeprom存储非易性数据存储
非易失性铁电随机存取存储器(f-ram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出带2kb非易失性f-ram以8051为基础的微控制器(mcu)-vrs51l3072。ramtron将f-ram添加到其快速灵活的versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。 500){this.width=500}" border=0> ramtron战略市场拓展经理david lee称:“我们针对需要较低密度f-ram进行实时数据采集和存储的客户,扩展了versa 8051产品系列即推出带2kb f-ram的mcu。vrs51l3072的高性能内核可控制外设及采集数据,而其板载数字信号处理 (dsp) 功能则会处理数据,然后存储在f-ram内。这款产品与我们的8kb f-ram mcu引脚兼容,对于那些需要少于8kb f-ram的应用来说,是一种别具成本效益的替代方案。” f-ram
ramtron international corporation宣布推出带2kb非易失性f-ram 以8051为基础的微控制器 (mcu) -- vrs51l3072。ramtron将f-ram添加到其快速灵活的versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。 f-ram能够消除flash数据存储器相关的先头编码、有限的耐用性及flash/eeprom延长的写入周期,从而简化设计流程。与flash不同,f-ram字节无需首次擦除整个扇区即可进行改动,使用更为便捷。而且与flash/eeprom不同的是f-ram能够无限次的读/写和快速写入数据。 vrs51l3072将2kb f-ram与完全集成的高性能系统级芯片 (system-on-chip)相结合,其特性包括40 mips单周期8051内核、同时具有isp和iap编程功能的64kb flash、4kb sram、数字信号处理 (dsp) 扩展功能及稳健的数字外围设备。vrs51l3072在整个
2KBF-RAM:2048字节的真正非易失性RAM(无需电池/超级电容便可保存数据)映射到VRS51L3072的XRAM存储器上,具有简单访问、快速读写和几乎无限读写寿命的特点;40MHz、单周期8051处理器,带32位桶式移位器的MULT/ACCU/DIV单元;40MHz内部晶振:内部振荡器无需外部晶体振荡器,有助于降低系统成本;USB-TAG接口:用于快速的用户友好器件编程和实时的在线调试/仿真;带波特率发生器的双UART;增强的SPI:串行外设接口的通信速度可以配置达20Mbit/s,发送数据长度可在1~32位间调节;2个脉宽计数器模块;PWM:包含8个脉宽调制器,具有高达16位的可调节分辨率;每个PWM都有自己独立的定时器,并可以作为通用定时器使用;其他支持外设包括1个I2C接口、3个16位通用定时器/计数器连3个定时器捕捉输入口、1个看门狗定时器和共享16个中断矢量的49个中断源
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ramtron international corporation宣布推出带2kb非易失性f-ram 以8051为基础的微控制器 (mcu) -- vrs51l3072。ramtron将f-ram添加到其快速灵活的versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。 f-ram能够消除flash数据存储器相关的先头编码、有限的耐用性及flash/eeprom延长的写入周期,从而简化设计流程。与flash不同,f-ram字节无需首次擦除整个扇区即可进行改动,使用更为便捷。而且与flash/eeprom不同的是f-ram能够无限次的读/写和快速写入数据。 vrs51l3072将2kb f-ram与完全集成的高性能系统级芯片 (system-on-chip)相结合,其特性包括40 mips单周期8051内核、同时具有isp和iap编程功能的64kb flash、4kb sram、数字信号处理 (dsp) 扩展功能及稳健的数字外围设备。vrs51l307
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