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ZDT649TA

更新时间:2025-06-12 04:33:57
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ZDT649TA 规格参数
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    2 NPN（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    25V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    500mV @ 200mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    100 @ 1A，2V
  • 功率 - 最大
    2.75W
  • 频率 - 转换
    240MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-223-8
  • 供应商设备封装
    SM8
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    ZDT649TR
ZDT649TA Datasheet数据手册 PDF下载
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