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ZVNL110ASTZ

更新时间:2025-06-13 10:33:10

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ZVNL110ASTZ 概述

ZVNL110ASTZ是Vishay公司生产的一款N沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效的电源管理电路中。其最大漏源电压为30V，在栅极驱动电压为4.5V时，典型导通电阻仅为30mΩ。它在诸如DC-DC转换器、负载开关以及电池充电管理等需要高效功率转换的应用场景中表现出色。在实际应用中，建议根据具体电路需求合理选择外部元件参数，如栅极电阻来控制开关速度，并且注意散热设计以确保稳定工作。由于其小尺寸封装，特别适合空间受限的便携式设备。

ZVNL110ASTZ 规格参数

标准包装
2,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
320mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
75pF @ 25V
功率 - 最大
700mW
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商设备封装
TO-92-3
包装
带盒（TB）
其它名称
ZVNL110ASTBZVNL110ASTZ-ND

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