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ZXM62P02E6TA

更新时间:2023-03-16 16:00:55
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ZXM62P02E6TA 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：ID=-2.3A/IDM=-13A/IS=-1.9A/ISM=-13A
    电压参数：UDSS=-20V/UGS=±12V
    功  率：PD=1.1W
    其他参数：4.5V/0.2Ω,2.7V/0.375Ω,trr=22.5ns
    极  性：P

ZXM62P02E6TAPDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

ZXM62P02E6TA外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：200 毫欧 @ 1.6A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：5.8nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：320pF @ 15V
  • 功率 - 最大：1.1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-23-6
  • 供应商设备封装：SOT-23-6
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：ZXM62P02E6TR
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