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ZXM66P02N8TC

更新时间:2025-05-15 22:05:48
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  • 深圳市炀城实业有限公司

  • ZXM66P02N8TC

    ZXM66P02N8TC

  • 5000

  • Diodes Incorporated

  • MOSFET PCH 20V 6.4A 8SOIC/24+

  • 华为超级供应商，7*24小时技术支持，一站式服务

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ZXM66P02N8TC 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    6.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    25 毫欧 @ 3.2A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    43.3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    2068pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    1.56W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SOP
  • 包装
    带卷 (TR)
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广东微尔科技有限公司
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