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ZXMN3A06DN8TA

更新时间:2025-05-12 13:40:35
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ZXMN3A06DN8TA的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

ZXMN3A06DN8TA外观图

  • 标准包装：500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：-
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.9A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：35 毫欧 @ 9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：17.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：796pF @ 25V
  • 功率 - 最大：1.25W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SOP
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：ZXMN3A06DN8TR
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