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ZXMN6A09GTA

更新时间:2025-06-12 02:39:58

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封装/批号
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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优势产品大量库存原装现货

深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市英特翎科技有限公司
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深圳宝芯林电子科技有限公司
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深圳市汇芯诚电子科技有限公司
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一级代理品牌原装价格优势，可原厂订货

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原装，原厂渠道，十年BOM配单专家

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现货十年以上分销商，原装进口件，服务型企业

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原装现货，当天可交货，原型号开票

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现货供应，当天可交货免费送样，原厂技术支持

深圳市创宝来科技有限公司
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原装正品，亚太区混合型电子元器件分销

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专注配单，只做原装进口现货

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假一罚十，原装进口现货供应，只做原装

深圳市科翼源电子有限公司
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ZXMN6A09GTA 概述

ZXMN6A09GTA是由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用SOT-23封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效功率管理应用。其最大漏源电压为30V，适合在各种便携式设备中使用，如手机、笔记本电脑等消费类电子产品中的电源管理和负载切换。在实际应用中，ZXMN6A09GTA常用于DC-DC转换器、电池充电电路以及低压侧负载开关设计。使用时应注意确保栅极驱动电压足够高以完全开启MOSFET，减少导通损耗。此外，在高频应用中需考虑PCB以降低噪声干扰。对于需要紧凑设计的便携式设备，此款MOSFET提供了良好的性能与尺寸平衡。

ZXMN6A09GTA 规格参数

标准包装
1,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
40 毫欧 @ 8.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
24.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1407pF @ 40V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装
SOT-223
包装
带卷 (TR)
其它名称
ZXMN6A09GTR

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