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ZXMN6A25N8TA

更新时间:2025-04-21 11:57:13
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ZXMN6A25N8TA的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 制造商：Diodes Inc.
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：60 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：5.7 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.05 Ohms
  • 配置：Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOIC-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：10.6 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：2.8 W
  • 上升时间：4 ns
  • 工厂包装数量：500
  • 典型关闭延迟时间：26.2 ns
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